金百辰智能科技(浙江)有限公司從事汽車(chē)零部件、家電類、機(jī)械配件等塑膠成型與pvd鍍膜工藝加工。
pvd鍍膜技術(shù)與您分享如果生產(chǎn)過(guò)程中的真空度不夠,表面上沾了灰塵或油滴之后會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的后果。集成電路中細(xì)線的寬度是吸煙時(shí)吐出的煙霧顆粒直徑的1/3,是一粒灰塵直徑的近萬(wàn)分之一。對(duì)集成電路而言,哪怕落有一顆煙霧的顆粒,就好像大路上停了一架大型飛機(jī)一樣,使電子無(wú)法通過(guò)或造成短路。
新材料開(kāi)發(fā)離不開(kāi)真空。
以分子束外延為代表的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)是新材料開(kāi)發(fā)的重要手段,薄膜材料放到蒸發(fā)源中之后被蒸發(fā)或升華,在高真空環(huán)境中,薄膜材料的原子或分子可以長(zhǎng)距離飛行,到達(dá)襯底成膜;而且由于殘留氣體少,襯底表面形成的薄膜純度高。
表面科學(xué)領(lǐng)域?qū)φ婵斩鹊囊蟾摺?p>
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pvd鍍膜技術(shù)與您分享 磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項(xiàng)重要指標(biāo),因此有必要研究影響磁控濺射均勻性的因素,以更好的實(shí)現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜。簡(jiǎn)單的說(shuō)磁控濺射就是在正交的電磁場(chǎng)中,閉合的磁場(chǎng)束縛電子圍繞靶面做螺線運(yùn)動(dòng),在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷撞擊工作氣體氣電離出大量的離子,離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材,濺射出呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。所以要實(shí)現(xiàn)均勻的鍍膜,就需要均勻的濺射出靶原子(或分子),這就要求轟擊靶材的離子是均勻的且是均勻的轟擊的。由于離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材,所以均勻轟擊很大程度上依賴電場(chǎng)的均勻。而離子來(lái)源于被閉合的磁場(chǎng)束縛的電子在運(yùn)動(dòng)中不斷撞擊的工作氣體氣,這就要求磁場(chǎng)均勻和工作氣體氣均勻。但是實(shí)際的磁控濺射裝置中,這些因素都是不均勻的,這就有必要研究他們不均勻?qū)Τ赡ぞ鶆蛐缘挠绊憽?p>
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pvd鍍膜技術(shù)與您分享磁場(chǎng)不均勻的影響
由于實(shí)際的磁控濺射裝置中電場(chǎng)和磁場(chǎng)不是處處均勻的,也不是處處正交的,都是空間的函數(shù)。寫(xiě)出的三維運(yùn)動(dòng)方程表達(dá)式是不可解的,至少?zèng)]有初等函數(shù)的解。所以磁場(chǎng)的不均勻性對(duì)離子的影響,也即對(duì)成膜不均勻性的影響是難以計(jì)算的,有效方法就是配合實(shí)驗(yàn)具體分析。是用中頻孿生靶柔性卷繞磁控濺射鍍膜裝置實(shí)驗(yàn)得出的靶磁場(chǎng)均勻性和成膜厚度均勻性的對(duì)應(yīng)關(guān)系。