晶振的負載電容

晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。

一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。

一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負載電容+等效輸入電容=22pF。

普通晶振和溫補晶振

1、普通晶振

普通晶體振蕩器(SPXO)是簡單的晶體振蕩器,它是由晶體元件與振蕩電路按設計要求,集成裝配在PCB電路板上并用金屬外殼封裝而成的頻率器件，通常用作微處理器的時鐘器件。

2、溫補晶振

溫度補償晶體振蕩器(TCXO)，在晶振內部采取了對晶體頻率溫度特性進行補償，以達到在寬溫溫度范圍內滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補晶振采用熱敏補償網(wǎng)絡。補償后頻率精度更高，，由于其良好的開機特性、優(yōu)越的性能價格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應性較強等多方面優(yōu)點，通常用于通信設備，如手機，GPS定位等。

石英晶體振蕩器的應用

石英鐘走時準、耗電省為其優(yōu)點。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時精度。石英晶體振蕩器原理的示意如圖3所示，其中V1和V2構成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調電容C2構成振蕩系統(tǒng)，這里石英晶體相當于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩(wěn)定電阻，它們都集成在電路內部。故無法通過改變C1或C2的數(shù)值來調整走時精度。但此時仍可用加接一只電容C有方法，來改變振蕩系統(tǒng)參數(shù)，以調整走時精度。根據(jù)電子鐘表走時的快慢，調整電容有兩種接法:若走時偏快，則可在石英晶體兩端并接電容C，如圖4所示。此時系統(tǒng)總電容加大，振蕩頻率變低，走時減慢。若走時偏慢，則可在晶體支路中串接電容C。如圖5所示。此時系統(tǒng)的總電容減小，振蕩頻率變高，走時增快。只要經過耐心的反復試驗，就可以調整走時精度。因此，晶振可用于時鐘信號發(fā)生器。

晶體振蕩器技術指標

（1）總頻差：在規(guī)定的時間內，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的頻差；

（2）頻率溫度穩(wěn)定度：在標稱電源和負載下，工作在規(guī)定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的允許頻偏；

（3）頻率穩(wěn)定預熱時間：以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規(guī)定頻率允差所需要的時間；

（4）頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關系；

（5）頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規(guī)定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的小峰值改變量；

（6）壓控頻率響應范圍：當調制頻率時，峰值頻偏與調制頻率之間的關系；

（7）頻率壓控線性：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分數(shù)表示整個范圍頻偏的可容許非線性度；

（8）單邊帶相位噪聲：偏離載波f處，一個相位調制邊帶的功率密度與載波功率之比。有的技術人員幫助您選型，歡迎您前來咨詢！