絲網(wǎng)印刷

通俗的說就是為太陽能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，主要監(jiān)控印刷后的濕重和次柵線的寬度。第二道道濕重如果過大，既浪費漿料，同時還可能導致不能在進高溫區(qū)之前充分干燥，甚至不能將其中的所有有機物趕出從而不能將整個鋁漿層轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘黉X，另外濕重過大可能造成燒結(jié)后電池片弓片。濕重過小，所有鋁漿均會在后續(xù)的燒結(jié)過程中與硅形成熔融區(qū)域而被消耗，而該合金區(qū)域無論從橫向電導率還是從可焊性方面均不適合于作為背面金屬接觸，另外還有可能出現(xiàn)鼓包等外觀不良。第三道道柵線寬度過大，會使電池片受光面積較少，效率下降。

隱裂、熱斑、PID效應(yīng)，是影響晶硅光伏組件性能的三個重要因素。

2. “隱裂”對組件性能的影響

晶硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)如下圖所示，電池片產(chǎn)生的電流主要靠表面相互垂直的主柵線和細柵線收集和導出。因此，當隱裂（多為平行于主柵線的隱裂）導致細柵線斷裂時，電流將無法被有效輸送至主柵線，從而導致電池片部分乃至整片失效，還可能造成碎片、熱斑等，同時引起組件的功率衰減。

垂直于主柵線的隱裂幾乎不對細柵線造成影響，因此造成電池片失效的面積幾乎為零。

而正處于快速發(fā)展的薄膜太陽能電池，由于其材料、結(jié)構(gòu)特性，不存在隱裂的問題。同時其表面通過一層透明導電薄膜收集和傳輸電流，即使電池片有小的瑕疵造成導電膜，也不會造成電池大面積失效。

有研究顯示，組件中如果某個電池的失效面積在8%以內(nèi)，則對組件的功率影響不大，并且組件中2/3的斜條紋隱裂對組件的功率沒有影響。所以說，雖然隱裂是晶硅電池常見的問題，但也不必過度擔心。

鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價電子數(shù)為4,序數(shù)適中,所以硅元素具有特殊的物理化學性質(zhì)，可用在化工、光伏、芯片等領(lǐng)域。特別是在芯片領(lǐng)域，正式硅元素的半導體特性,使其成為了芯片的基石。在光伏領(lǐng)域，可用于太陽能發(fā)電。而且地球的地殼中硅元素占比達到25.8%，開采較為方便，可回收性強，所以價格低廉,進-步增強了硅的應(yīng)用范圍。

電路板清洗技術(shù)

半水清洗技術(shù)

半水清洗主要采用和去離子水，再加上一定量的活性劑、添加劑所組成的清洗劑。該類清洗介于溶劑清洗和水清洗之間。這些清洗劑都屬于，屬于可燃性溶劑，閃點比較高，毒性比較低，使用上比較安全，但是須用水進行漂洗，然后進行烘干。有些清洗劑中添加5%~20%的水和少量表面活性劑，既降低了可燃性，又可使漂洗更為容易。半水清洗工藝特點是：

1） 清洗能力比較強，能同時除去極性污染物和非極性污染物，洗凈能力持久性較強；

2） 清洗和漂洗使用兩種不同性質(zhì)的介質(zhì)，漂洗一般采用純水；

3） 漂洗后要進行干燥。

該技術(shù)不足之處在于廢液和廢水處理是一個較為復雜和尚待解決的問題。