公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

怎么選場效應管？

決議采納N溝道還是P溝道MOS管。正在垂范的功率使用中，當一度MOS管接地，而負載聯接到支線電壓上時，該MOS管就構

成了高壓側電門。正在高壓側電門中，應采納N溝道MOS管，這是出于對于開放或者導通機件所需電壓的思忖。當MOS管聯接到總線及負載接地時，就要用低壓側開關。一般會正在某個拓撲中采納P溝道MOS管，這也是出于對于電壓驅動的思忖。

肯定所需的額外電壓，或者許機件所能接受的電壓。額外電壓越大，機件利潤就越高。依據理論經歷，額外電壓該當大于支線電壓或者總線電壓。那樣能力需要剩余的掩護，使MOS管沒有會生效。就取舍MOS管而言，必需肯定漏極i至源極間能夠接受的電壓，即VDS。曉得MOS管能接受的電壓會隨量度而變遷這點非常主要。咱們須正在整個任務量度范疇內測試電壓的變遷范疇。額外

電壓必需有剩余的余量遮蓋某個變遷范疇，確保通路沒有會生效。需求思忖的其余保險要素囊括由電門電子設施（如發電機或者變壓器）誘發的電壓瞬變。沒有同使用的額外電壓也有所沒有同；一般，便攜式設施為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC使用為450～600V。KIA半超導體設想的MOS管耐壓威力強，使用畛域廣，深受遼闊存戶青眼。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

我國是全世界極大的MOS器件市場，2020年，我國MOS器件市場規模約為187億元，在全世界總市場中的占比達到45%。我國是全世界極大的智能手機、汽車生產國，5G技術處于全世界的頭部位置，且新型電子產品不斷問世，因此MOS器件市場前景好，且高的性能的產品需求不斷上升。這些因素有利于我國圍柵硅納米線MOS器件行業發展。