導電輥包括導電輥的外層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成、內層由離子導電性聚合物的組合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成的雙層導電輥，以及與上述相反的外層由離子導電性聚合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成、內層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成的雙層導電輥。還原所制得的稀土金屬產品含稀土95%～99%，主要用作鋼鐵、有色金屬及其合金的添加劑，以及用作生產稀土永磁材料、貯氫材料等功能材料的原料。

超純金屬的制備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區熔提純或區熔提純與其他方法相 結合有效。

由于容器與藥劑中雜質的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。可以用半導體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區域熔煉）。熔鹽電解法為連續性生產過程，產量較大，設備簡單，成本較低，但電解槽需用耐高溫氯化物或氟化物腐蝕的結構材料制造。

陶瓷靶材

ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。超純金屬是相對高純度的金屬，一般指金屬純度達到純度9以上的金屬，物理雜質的概念才是有意義的。

各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。如各種器件都需要起到導電作用的金屬布線，例如Al、Cu和Ag等已經被廣泛的應用和研究。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。

在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。