公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管，是在集成電路里的帶有絕緣性的場效應(yīng)管。MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)的器件之一，不管是在板級(jí)電路的應(yīng)用上，還是IC的設(shè)計(jì)里，都十分廣泛。MOS管的drain和source是可以相互調(diào)換過來的的，都是在P型backgate里形成的一個(gè)N型區(qū)。在普遍的情況下，這兩個(gè)區(qū)都是相同的，就算這兩段相互調(diào)換過來也是不會(huì)去影響到器件的性能。所以這器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

MOS管失效的兩個(gè)主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達(dá)到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達(dá)到了某一能量極限i時(shí)所產(chǎn)生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個(gè)：生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時(shí)，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時(shí)這種故障更為常見)。

MOSFET管有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產(chǎn)制造為四種類型，分別是增強(qiáng)型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種，但其實(shí)在實(shí)際的運(yùn)用中一般只用增強(qiáng)型的N溝道和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。

針對(duì)這兩種增強(qiáng)型的MOS管，其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強(qiáng)型的N溝道MOS管的導(dǎo)通電阻更小，并且生產(chǎn)簡便，因此在開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)的運(yùn)用中，我們一般使用增強(qiáng)型的N溝道MOS管。

MOS管的三個(gè)管腳中有寄生電容的存在，雖然說這并不是大家所需要的，但其中生產(chǎn)制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容，這讓其設(shè)計(jì)方案或挑選驅(qū)動(dòng)電源電路的情況下會(huì)更麻煩一些，其中還沒有解決的辦法能避免。

在MOS管的漏極和源極中有一個(gè)寄生二極管叫做體二極管，就驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載來說，二極管對(duì)其十分重要。順帶說一句，體二極管只在單獨(dú)的MOS管內(nèi)存在，在集成電路芯片內(nèi)部一般都是沒有的。