公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場效應管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，場效應管可被看成電氣開關。當在n溝道場效應管的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚場效應管的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管是利用VGS去控制“感應電荷”的多少，由此去改變由這些“感應電荷”所形成的導電溝道的狀況，以此來控制漏極電流。在管子制造時，通過一些特殊工藝使得絕緣層出現大量的正離子，所以在交界面另一側可以感測出比較多的負電荷，高滲雜質的N區被這些負電荷接通，導電溝道也就形成了，即便在VGS為0時也會有比較大的漏極電流ID。如果柵極電壓發生改變時，溝道里的被感應電荷量也會發生改變，導電溝道中的寬窄也會隨著改變，因此漏極電流ID會伴隨著柵極電壓的變化而發生變化。