硅表面疏水性處理微觀機理與親水性處理機理相似，硅表面成為疏性的基本條件為B=A=r（SL）- r（SG）＞0

硅片表面必須由高能轉化為低能表面。從上式可以看出:完成上述轉化的條件為或者使 r（SG）下降,或者r（SL）上升。方法還是改變其表面結構，使 r（SG）減小。硅片經過特殊清洗液洗時，表面形成的自然氧化膜腐蝕掉，Si幾乎不被腐蝕。硅片外層的Si兒乎以H鍵為終端結構，表面呈疏水性。

PDMS以其的優勢在微流控芯片中得到應用:材料廉價、易得;材料可加工性、成型性好，可以通過快速模塑法制作不同通道形狀的微流控芯片;可以透過240nm以上波段的紫外、可見光，適合各種光學檢測;不透水，不溶于水和常見電泳緩沖液;可以透過空氣，對細胞無毒，適合生物樣品檢測;表面能低，容易和其他材料進行可逆或者不可逆鍵合;有良好的絕緣性，良好的散熱性能，適于電泳分離;材料表面易于進行改性，適合不同要求的生物樣品分析檢測;容易質譜等其他分析檢測技術聯用。

疏水是指各種蒸汽營道和用汽設備表接觸角(A大于九十度的蒸汽凝結而的水，而由于水是極性分子，而且能夠形成屋，而經則多是范停華相互作用，偶極相互作用和氫鍵的銷星比范德華力大的多，這使得水與經接觸時傾向于自己與自己復裝，而如果的與水接的更多會威少水和水之間的接貌，帶來能星的上升、終基和水類似，與水接的時也能成復鍵以及慢極相回作用，能量和水之間接觸差別不大。而疏水作用是決定生物分子的結構和性質的重要因素，特別是在蛋白質的折疊，分子與受體的相互作用中扮演著重要的角色。