存儲芯片是數據的載體，是電子系統的“糧倉”。在A股市場，存儲企業設計公司也深受追捧，比如兆易創新這樣國內存儲芯片龍頭，市值已超千億。
近期，就有一家存儲芯片“新銳勢力”即將登陸A股。12月6日，東芯股份披露科創板上市發行結果，此次發行價格為30.18元/股，發行數量為1.1056億股。值得一提的是，集成電路大基金二期、上汽集團獲配329.70萬股，獲配金額為9950.25萬元。
與兆易創新類似，東芯股份業務橫跨三大主要存儲芯片——NAND Flash、NOR Flash以及DRAM，同時兩家公司均主攻中小容量存儲芯片市場。兆易創新“珠玉在前”，又有大基金二期、上汽集團加持，東芯股份登陸科創板后的市場表現值得期待。
提供完整存儲解決方案
近期，大量芯片公司登陸科創板，但大多集中在模擬芯片領域，而存儲芯片領域上市公司少之又少。
存儲芯片是應用面較廣、市場比例較高的集成電路基礎性產品之一，而國內如東芯股份這般提供完整存儲解決方案的企業，則更為稀有。據悉，目前主流存儲芯片主要為閃存與內存，閃存主要是NAND Flash、NOR Flash，內存便是DRAM。
NAND Flash可以分為SLC、MLC、TLC、QLC，其中中小容量主要使用SLC NAND，大容量SSD等產品主要使用MLC NAND、TLC NAND。東芯股份主攻中小容量市場，NAND Flash領域主要產品便是SLC NAND。其他兩個存儲芯片，也分別主攻中小容量NOR Flash以及利基型DRAM。
2021年1~6月，東芯股份NAND、NOR和DRAM產品營收分別為2.33億元、8547.02萬元和3127.35萬元，營收占比分別為51.32%、18.80%和6.88%。東芯股份表示：“憑借強大的研發設計能力和自主清晰的知識產權，公司搭建了穩定可靠的供應鏈體系，設計研發的24nm NAND、48nm NOR均為我國領先的閃存芯片工藝制程，已達到可量產水平，實現了國內存儲芯片的技術突破。”
而根據兆易創新2020年年報，其表示2021年公司NOR Flash產品將基于55nm工藝節點開展項目研發，豐富和完善公司的產品系列。同時，24nm將成為公司SLC NAND主要工藝節點之一。可以看出，不管是NOR Flash還是SLC NAND，東芯股份在工藝制程方面均不遜色于兆易創新。
目前，國內存儲芯片市場需求巨大，但自給率仍然較低。根據世界半導體貿易統計協會數據，2018年我國存儲芯片市場規模為5775億元，同比增長34.18%，預計2023年國內存儲芯片市場規模將達6492億元，未來發展空間廣闊。然而中國存儲芯片的自給率僅15.70%，比整體集成電路的自給率更低，令中國存儲芯片自主可控的需求更為迫切。
中小容量存儲市場：巨頭離場，增長迅速
從技術角度看，NAND Flash已經進入3D NAND時代，主流DRAM廠商制程已經來打1Znm。相比之下，東芯股份與國際龍頭仍存在差距。
不過，東芯股份并非在PC、手機、服務器等主流存儲市場與國際龍頭競爭，而是主攻中小容量市場。近年來，三星、SK海力士、鎂光等廠商陸續從中小容量存儲市場離場，將產能轉向DRAM、NAND Flash以及高毛利的大容量NOR Flash市場。
展開全文巨頭離場留下的市場空間，也成就了兆易創新、華邦電子等二線存儲廠商。對于東芯股份來說，同樣存在著廣闊的發展空間。特別是隨著國產化需求的不斷提高，國內企業將迎來良好的發展契機。
巨頭的離場并不意味著中小容量市場是個“雞肋”。與之相反，5G、物聯網以及汽車電子已成為推動中小容量市場發展的重要驅動力量。比如5G通訊設備、物聯網都需要高速且穩定可靠的存儲芯片作為各類數據站點。5G宏基站為例，其部署環境復雜惡劣，且需要全天候工作，中小容量SLC NAND在性能穩定性上具有明顯的優勢。
而在火熱的汽車電子賽道，中小容量NAND也將迎來大發展。這是因為在汽車系統中，從先進駕駛輔助系統到完全自動駕駛，復雜的汽車應用將更需要高容量的閃存，這對設計者而言，成本的考慮變得相對重要許多。相比之下，NAND Flash相比NOR Flash單位成本具有優勢，能夠為較大容量車規閃存提供良好的解決方案。
根據Gartner的數據顯示，2019年全球ADAS中的NAND Flash存儲消費2.2億GB，同比增長300%。由于智能汽車領域的快速發展，預計至2024年，全球ADAS領域的NAND Flash存儲消費將達41.5億GB，2019~2024年復合增速達79.8%。
下游客戶方面，東芯股份NAND Flash憑借產品品類豐富、功耗低、可靠性高等特點，被廣泛應用于通訊設備、安防監控、可穿戴設備及移動終端等領域，獲得了聯發科、瑞芯微、中興微、博通等行業內主流平臺廠商的驗證認可，被主要應用于5G通訊、企業級網關、網絡智能監控、數字錄像機、數字機頂盒和智能手環等終端產品。使用公司產品的終端知名客戶包括中興通訊、烽火通信、海康威視、大華股份、創維數字、航天信息等。
東芯股份表示：“公司NAND Flash產品核心技術優勢明顯，公司產品在耐久性、數據保持特性等方面表現穩定，不僅在工業溫控標準下單顆芯片擦寫次數已經超過10萬次，同時可在-40℃到105℃的極端環境下保持數據有效性長達10年，產品可靠性逐步從工業級標準向車規級標準邁進。”
未來，東芯股份將進一步發展車規級閃存芯片。其表示：“在滿足客戶工業級應用需求的基礎上，將產品可靠性標準逐步向車規級推進，以順應汽車產業在智能網聯功能的布局，大力發展可靠性要求更高的車規級存儲芯片，實現車規級閃存產品的國產替代目標。”
利基型DRAM方面，目前市場也處于供不應求的境地。根據國金證券研報，由于數位電視、機上盒、Wi-Fi 5/6、安防、路由器、Modem、AIOT、白色家電、工業IPC對小容量DRAM內存的需求穩定增長，加上SK海力士將相關產能轉移生產CMOS傳感器，從而退出中低容量特殊利基型DRAM供應鏈等，DDR2 512Mb/1Gb、DDR3 1、2Gb DRAM等中低容量特殊利基型DRAM需求超過供給。
而東芯股份DRAM產品正是DDR3和LPDDR2，其專注于中小容量DRAM產品，主要應用于利基型市場，終端產品包括數字機頂盒、PON等通訊設備及功能手機、行車記錄儀等移動終端等應用。
行業壁壘：技術+資本
可以看出，東芯股份主要供應中小容量存儲，包括SLC NAND、NOR Flash以及利基型DRAM，而這些領域有較大市場潛力。
然而，存儲芯片行業兼具資本密集型和技術密集型，技術和資本決定了一個公司的成敗。目前，東芯股份擁有國內外發明專利82項，集成電路專業布圖設計所有權34項，先后獲得“第七屆中國電子信息博覽會創新獎”“2020年度中國IC設計成就獎之年度最佳存儲器”“2019年度上海市‘專精特新’中小企業”等榮譽稱號。
東芯股份表示：“自成立以來，公司高度重視研發投入與技術創新，致力于實現本土存儲芯片的技術突破。公司研發團隊通過多年在存儲芯片設計領域積累的大量技術經驗，基于自有知識產權和研發設計體系，自主開發了NAND、NOR、DRAM等主流存儲芯片，憑借高可靠性、低功耗等特點，多款代表公司先進技術水平的核心產品通過國內外多家知名企業的認證。”
SLC NAND領域，2020年華邦電子、旺宏電子、兆易創新制程分別為32nm、19nm和24nm，東芯股份為24nm；NOR Flash方面，華邦電子、旺宏電子、兆易創新、普冉股份分別為58nm、55nm、55nm和40nm，東芯股份為48nm。
內存方面，華邦電子DDR制程為25nm，東芯股份旗下公司Fidelix同樣是25nm；華邦電子LPDDR為25nm，東芯股份旗下Fidelix則為38nm。
中小容量市場在巨頭離場后，二線廠商迎來發展機遇。供給端巨頭離場，需求端又迎來物聯網、5G和汽車電子發展紅利。而唯有握住核心技術，方能把握供給端、需求端帶來的機遇。對比中小容量存儲領域競爭對手可以發現，東芯股份在制程方面基本不弱于同行。尤為可貴的是，東芯股份在SLC NAND、NOR Flash、利基型DDR、利基型LPDDR這四大類產品均有布局。疊加國產替代大潮，東芯股份四大產品后續或將持續高速增長。文/程翔
每日經濟新聞