第三代半導(dǎo)體概念8日盤中震蕩走高，截至發(fā)稿，和而泰、海特高新漲停，亞光科技漲逾9%，富滿微漲逾8%，三安光電、聞泰科技漲近5%，北方華創(chuàng)、華峰測控等漲近4%。

機構(gòu)表示，在下游應(yīng)用+能源安全+后摩爾時代三者推動下，第三代半導(dǎo)體將迎來大發(fā)展。

天風(fēng)證券指出，第三代半導(dǎo)體主要受三大核心因素驅(qū)動：

1）下游應(yīng)用迭起，第三代半導(dǎo)體因物理性能優(yōu)異競爭力極強。第三代半導(dǎo)體主要在三個領(lǐng)域有強大的市場的競爭力：

第一是新能源汽車等帶動第三代半導(dǎo)體在大功率電力電子器件起量。快充裝置、輸變電系統(tǒng)、軌道交通、電動汽車和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件。無疑寬禁帶半導(dǎo)體，尤其是碳化硅、氮化鎵具有比其他半導(dǎo)體材料更為明顯的優(yōu)勢。

第二是AIoT時代驅(qū)動的光電器件大發(fā)展。在AIoT時代，智慧化產(chǎn)品滲透率更加迅速提升，智能家居照明市場將迎來機遇。第三代半導(dǎo)體尤其在短波長光電器件方面有很明顯的優(yōu)勢。例如藍光，現(xiàn)在所有的半導(dǎo)體照明已經(jīng)采用了氮化鎵。在紫光、紫外光甚至在黃光、綠光等方面都可以直接用氮化物半導(dǎo)體作為材料。

第三是5G時代驅(qū)動GaN射頻器件快速發(fā)展。相比于砷化鎵和硅等半導(dǎo)體材料，在微波毫米波段的第三代半導(dǎo)體器件工作效率和輸出功率明顯高，適合做射頻功率器件。民用射頻器件主要用在移動通信方面，包括現(xiàn)在的4G、5G和未來的6G通信。例如，國內(nèi)新裝的4G和5G移動通信的基站幾乎全用氮化鎵器件。尤其是5G基站采用MIMO收發(fā)體制，每個基站64路收發(fā)，耗電量是4G基站的3倍以上，而且基站的密集度還要高于4G基站，不用高效率的氮化鎵器件幾乎是不可能的。未來6G通信頻率更高、基站數(shù)更多，GaN將更加突出。

2)能源安全需求迫在眉睫，第三代半導(dǎo)體助力 “碳達峰 、 碳中和 ”目標(biāo)的實現(xiàn)。第三代半導(dǎo)體材料和技術(shù)對于建成可循環(huán)的高效、高可靠性的能源網(wǎng)絡(luò)起到至關(guān)重要的作用，可助力實現(xiàn)光伏、風(fēng)電（電能生產(chǎn)），直流特高壓輸電（電能傳輸），新能源汽車、工業(yè)電源、機車牽引、消費電源（電能使用）等領(lǐng)域 的電能高效轉(zhuǎn)換，推動能源綠色低碳發(fā)展。

3）后摩爾時代來臨，第三代半導(dǎo)體為代表的核心材料是芯片性能的提升的基石。第三代半導(dǎo)體為主的新材料是芯片制造工藝中的核心挑戰(zhàn)，是芯片性能的提升的基石。以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，擁有高的擊穿電場強度、高的工作溫度、低的器件導(dǎo)通電阻、高的電子密度等優(yōu)勢，目前寬禁帶半導(dǎo)體主要在射頻器件、大功率電力電子器件、光電器件三個領(lǐng)域有強大的市場的競爭力。同時，在化合物半導(dǎo)體與硅器件高度結(jié)合，在硅襯底上生長化合物，是后摩爾時代的一個非常有意義、非常有發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域。