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LMR14030SQDDARQ1 Renesas/瑞薩電子現貨交易誠信企業「同創芯」生產力是什么

   日期:2023-10-03     作者:同創芯    瀏覽:48    評論:0    
核心提示:5分鐘前 LMR14030SQDDARQ1 Renesas/瑞薩電子現貨交易誠信企業「同創芯」[同創芯dc564a3]內容:柵極長度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶體管“超大規模晶體管對下一代電子設
5分鐘前 LMR14030SQDDARQ1 Renesas/瑞薩電子現貨交易誠信企業「同創芯」[同創芯dc564a3]內容:

柵極長度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶體管

“超大規模晶體管對下一代電子設備的開發很感興趣。盡管已經報道了原子級薄的二硫化鉬 (MoS 2 ) 晶體管,但柵極長度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑戰性。在這里,我們使用石墨烯層的邊緣作為柵電極展示了具有原子級薄溝道和亞 1 nm 物理柵極長度的側壁 MoS 2晶體管。該方法使用通過化學氣相沉積生長的大面積石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圓上制造側壁晶體管。這些器件具有高達 1.02 × 10 5的開/關比和低至 117 mV dec -1的亞閾值擺幅值. 模擬結果表明,MoS 2側壁有效溝道長度在開啟狀態下接近0.34 nm,在關閉狀態下接近4.54 nm。這項工作可以促進摩爾定律,即下一代電子產品中晶體管的按比例縮小。”

快充市場的未來趨勢(一)

倍思于2020年推出120W GaN(納微半導體供應)+SiC(APS供應)快充產品,取得市場巨大反饋,泰科天潤、美浦森、安森美等SiC元件廠也陸續達成在Power Delivery快充領域的大量出貨。

值得注意的是,汽車市場的快充輸出界面逐漸成為標配,在大功率車充市場正逐漸興起的趨勢下,未來數位產品能耗與電池容量限制將再推升第三代半導體GaN與SiC的大規模應用。

然而手機快充的驚人增長繼續拉動市場的不斷成長,讓身為“三代半”雙星之一的GaN交出了一份漂亮的。

半導體行業依然在挑戰中前行。后疫情時代、產能緊張、地緣政治等因素仍深刻地影響著半導體產業鏈及生態。2022年,半導體行業如何發展?新的挑戰又會從何而來?

為了厘清這些問題,圍繞熱點話題、熱門技術和應用、重大事件等多維度梳理,為上下游企業提供參考鏡鑒。

鋰電池原材料價格上漲7倍,供應鏈面臨挑戰

“從 2021 年初到 2022 年 5 月,鋰價格上漲了 7 倍以上,鈷價格上漲了一倍以上。同期鎳價幾乎翻了一番,達到近十年來未見的水平,”IEA 在發布的《2022 年電動汽車展望 》報告中表示上周。

業內人士表示,鋰離子電池的需求旺盛,但電池供應鏈可能還沒有準備好,并承認礦物材料的短缺構成了挑戰。

消息人士稱,鋰價格的飆升是由三元電池和磷酸鐵鋰(LFP)電池制造商的需求推動的。他們表示,磷酸鐵鋰電池生產的擴張速度比三元電池增長更快,規模更大,這主要是受中國電池制造商的推動,它們占據了 99% 的磷酸鐵鋰產量。

需求變弱,第3季DDR3與DDR4價格將季減3~8%

由于俄烏沖突、疫情以及高通脹等因素沖擊消費性電子買氣,其中屬consumer DRAM相關應用的筆電、電視出貨面臨下修,加上DDR3因價格屬于相對高點,買方在庫存與成本壓力之下,購買力道明顯收斂,預估DDR3與DDR4需求將同步下滑,市場拉貨動能持續走弱。而韓廠對于退出DDR3供給的計劃不變,但下半年仍有陸廠及臺廠新增產能開出。在需求走弱,供給增加的情形下,賣方的議價優勢不再,難以支撐第三季consumer DRAM價格,預測DDR3與DDR4價格將季減3~8%。

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