電導率σi和電子導電的電導率σe之比σi/σe≥0.01。

具有至少一層其至少部分所述導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電層的導電輥包括整個導電輥都由離子導電性聚合物賦予導電性的導電性橡膠組合物構(gòu)成的導電輥以及由不同組成的多層構(gòu)成的導電輥，而由不同組成的多層構(gòu)成的導電輥中的至少一層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構(gòu)成，其他層則由離子導電性聚合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構(gòu)成。而利用熱膨脹系數(shù)小，導熱強、高溫強度好的鉬或鉬基合金，模具壽命大幅度延長。

導電輥包括導電輥的外層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構(gòu)成、內(nèi)層由離子導電性聚合物的組合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構(gòu)成的雙層導電輥，以及與上述相反的外層由離子導電性聚合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構(gòu)成、內(nèi)層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構(gòu)成的雙層導電輥。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。

在所有應用產(chǎn)業(yè)中，半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。

各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。采用聚氨酯橡膠、表氯橡膠等離子導電性橡膠(聚合物)或含有季銨鹽等離子導電材料的離子導電性聚合物的組合物的方法。

在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。