電源供應裝置通過一升降機構安裝在機座上并與控制裝置電連接；所述整體測量機構包括一安裝在機座上的驅動電機、一連接在驅動電機上的傳動軸及一安裝在傳動軸的一端的接地端；超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5。所述擇點測量機構包括一安裝在機座上的第二驅動電機、一對安裝在所述第二驅動電機上的第二傳動軸、一安裝在機座上并與所述第二傳動軸平行的滑軌及若干安裝在滑軌上的測點探針。

導電橡膠能夠提供較高的打印密度。但導電橡膠的導電率是如此之高，以致其不能對色粉充電至較高程度。當僅僅將由金屬氧化物組成的無機填料(D)作為填料與橡膠組分(A)混合時，導電橡膠能夠得到降低色粉的物理粘附力的效果，但是不能將色粉充電至較高程度，因此不能提供足夠的打印密度。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造。如上所述，在獨立地將填料(B)至(D)與橡膠組分(A)混和時，必須大量使用填料。

區域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。

由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，然后再進行區熔提純。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數值。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。

稀土礦冶煉方法有兩種，即濕法冶金和火法冶金。

濕法冶金屬化工冶金方式，全流程大多處于溶液、溶劑之中，如稀土精礦的分解、稀土氧化物、稀土化合物、單一稀土金屬的分離和提取過程就是采用沉淀、結晶、氧化還原、溶劑萃取、離子交換等化學分離工藝過程?，F應用較普遍的是溶劑萃取法，它是工業分離高純單一稀土元素的通用工藝。濕法冶金流程復雜，產品純度高，該法生產成品應用面廣闊。鋼鐵業中的毛刷輥制作工藝主要有螺旋纏繞式，內焊拼裝式，螺旋咬合型刷片組裝式。