是什么導致電路板腐蝕？

隨著時間的流逝，隨著電路板上的金屬與周圍環(huán)境中的化學物質發(fā)生反應，腐蝕也會發(fā)生。（了解有關PCB由什么制成的更多信息。）如果不從金屬上干燥，液體也會引起腐蝕。Rust是常見的結果，但也存在其他結果。雖然少量的銹蝕會使電路板更不容易短路，但腐蝕終會造成足夠的損壞，從而導致設備損壞。

表面制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有，和等。大多使用廉價的濃度約為1%的稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。

鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。現在工業(yè)生產中常采用PECVD設備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價電子數為4,序數適中,所以硅元素具有特殊的物理化學性質，可用在化工、光伏、芯片等領域。特別是在芯片領域，正式硅元素的半導體特性,使其成為了芯片的基石。在光伏領域，可用于太陽能發(fā)電。而且地球的地殼中硅元素占比達到25.8%，開采較為方便，可回收性強，所以價格低廉,進-步增強了硅的應用范圍。

印刷電路板的制造

印刷電路板是以絕緣材料輔以導體配線所形成的結構性元件。在制成產品時，其上會安裝集成電路、電晶體、二極管、被動元件（如：電阻、電容、連接器等）及其他各種各樣的電子零件。藉著導線連通，可以形成電子訊號連結及應有機能。因此，印制電路板是一種提供元件連結的平臺，用以承接聯(lián)系零件的基礎。

由于印刷電路板并非一般終端產品，因此在名稱的定義上略為混亂，例如：個人電腦用的母板，稱為主機板而不能直接稱為電路板，雖然主機板中有電路板的存在但是并不相同，因此評估產業(yè)時兩者有關卻不能說相同。再譬如：因為有集成電路零件裝載在電路板上，因而新聞媒體稱他為IC板，但實質上他也不等同于印刷電路板。