隨著技術(shù)的發(fā)展，PVD技術(shù)也不斷推陳出新，出現(xiàn)了很多針對(duì)某幾種用途的專門技術(shù)

濺射鍍膜技術(shù)

濺射鍍膜技術(shù)是用離子轟擊靶材表面，把靶材的原子被擊出的現(xiàn)象稱為濺射。濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體表面成膜稱為濺射鍍膜。通常是利用氣體放電產(chǎn)生氣體電離，其正離子在電場(chǎng)作用下高速轟擊陰極靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。

隨著技術(shù)的發(fā)展，PVD技術(shù)也不斷推陳出新，出現(xiàn)了很多針對(duì)某幾種用途的專門技術(shù)

磁控濺射技術(shù)

磁控濺射技術(shù)屬于PVD（物理氣相沉積）技術(shù)的一種，是制備薄膜材料的重要方法之一。它是利用帶電荷的粒子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向被濺射的物質(zhì)制成的靶電極（陰極），并將靶材原子濺射出來使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到襯底并在襯底上沉積成膜的方法。磁控濺射設(shè)備使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的薄膜致密性好、粘結(jié)力強(qiáng)及純凈度高。該技術(shù)已經(jīng)成為制備各種功能薄膜的重要手段。

PVD 是物理氣相淀積，指通過物理手段（電、磁、重力），令氣體中的特定成分淀積在晶圓表面，形成薄膜。磁控濺射是PVD 的一種，屬于比較老的薄膜生長技術(shù)之一，優(yōu)點(diǎn)是成本較低，可以生長的薄膜種類多，缺點(diǎn)是薄膜一致性較差，臺(tái)階覆蓋不好，強(qiáng)度較低。

CVD 是化學(xué)氣相淀積，指令氣體在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物附著在晶圓表面形成薄膜。另外氧氣（以及水蒸氣）與晶圓本身反應(yīng)生長氧化硅層一般單獨(dú)分類為氧化，不屬于CVD。優(yōu)點(diǎn)是薄膜一致性好，缺點(diǎn)是受到反應(yīng)氣體種類限制，不是所有的薄膜都能生長。

其他的薄膜生長工藝還有氧化、電鍍、外延、鍵合等。各有各的適用范圍。