微納光刻加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

光刻版材質主要是兩種，一個是石英材質一個是蘇打材質，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。

光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的中心材料。按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學結構分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和化學放大型。

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一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關。

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應，缺點是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，因為光刻版與襯底沒有接觸，缺陷大大減少，優(yōu)點是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點是分辨率低，存在衍射效應。投影式曝光，一般光學系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產(chǎn)生缺陷。

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邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，產(chǎn)生邊緣效應，不能得到很好的圖形，而且容易發(fā)生剝離而影響其它部分的圖形。

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（itive photoresist）被曝光的部分會被顯影劑清除，負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑清除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝（lift-off）。

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專注微納光學，積極拓展產(chǎn)品應用。公司深耕微納光學領域，從微納光學關鍵制造 設備起步，通過自主研發(fā)，外部并購等途徑，建立了覆蓋微納光學主要應用領域的 研發(fā)、制造體系。在底層技術的支撐下，相繼開發(fā)出了多系列的光刻 機、壓印設備，構建完備的維納光學設備集群，陸續(xù)推出公共安全材料、新型 印刷材料、導光材料、中大尺寸電容觸控模組和特種裝飾膜等產(chǎn)品，同時正在研發(fā) 適用于 AR 顯示的光波導鏡片等新一代產(chǎn)品。

微納光學設計與制造，三大事業(yè)群齊頭并進。公司擁有豐富的微納光學設計經(jīng)驗， 以及光刻和納米壓印設備自主設計制造能力，以此支撐公共安全和新型印材、反光 材料和消費電子新材料三大產(chǎn)品事業(yè)群。未來公司還將持續(xù)加大 AR 眼鏡光波導鏡 片、全息光場 3D 顯示、微透屏下指紋等項目的研發(fā)投入，深入挖掘微納光學智能 制造等應用領域，持續(xù)推進研發(fā)技術成果轉化為市場競爭力。

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