微納光刻加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。
光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全i球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，自2011年至今，光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年華增長率達到11%，高于全i球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全i球占比約10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。
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微納光刻加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬美元。
掩膜臺：承載掩模版運動的設(shè)備，運動控制精度是nm級的。
物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計難度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產(chǎn)率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的坐標系，根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。
內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。
光刻機跟照相機差不多，它的底片，是涂滿光敏膠的硅片。電路圖案經(jīng)光刻機，縮微投射到底片，蝕刻掉一部分膠，露出硅面做化學(xué)處理。制造芯片，要重復(fù)幾十遍這個過程。
位于光刻機中心的鏡頭，由20多塊鍋底大的鏡片串聯(lián)組成。鏡片得高純度透光材料+高質(zhì)量拋光。SMEE光刻機使用的鏡片，得數(shù)萬美元一塊。
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微納光刻加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
光刻是通過特定的生產(chǎn)步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分去除的工藝，需要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測的等多道工序。光刻掩膜版類似于相機曝光后的底片，應(yīng)用于對集成電路進行投影定位。光掩膜版的制作有專門的制版設(shè)備，一般都是用激光直寫光刻設(shè)備做出來的。
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微納光刻加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。半導(dǎo)體光刻定制平臺
2003年，光刻掩膜版的90nm工藝的主流光刻技術(shù)是193nm準分子激光掃描分布投影光刻機（ArF Scanner），的光學(xué)光刻機巨頭Nikon、ASML和CANON都推出了193nm ArF Scanner。
特征尺寸為45nm的光刻技術(shù)包括193nm ArF干法光刻技術(shù)、193nm ArF浸沒式光刻技術(shù)二次成像與二次曝光技術(shù)、帶有其他液體的193nm浸沒式光刻技術(shù)、極短紫外光刻技術(shù)（EUV）以及無掩膜光刻技術(shù)。
在上述納米尺寸光刻加工涉及到的工藝技術(shù)中，可以了解到除了無掩膜光刻技術(shù)和納米壓印光刻技術(shù)，都可以進行掩膜版光刻。我們不能否認的是，掩膜版成本較高至今還是納米工藝達到量產(chǎn)的難點之一。
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