在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。

什么是靶材綁定？靶材綁定的適用范圍、流程？

綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導電膠。

1.壓接：采用壓條，一般為了提高接觸的良好性，會增加石墨紙、Pb或In皮；

2.釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；我司采用銦焊綁定技術。

3.導電膠：采用的導電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。

綁定的適用范圍

技術上來說表面平整可進行金屬化處理的靶材都可以用我司銦焊綁定技術綁定銅背靶來提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率。

建議綁定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材；

錫、銦等軟金屬靶；

靶材太薄、靶材太貴的情況等。

但下列情況綁定有弊端：

1.熔點低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時候可能會變軟變形；

2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。