各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造；彈簧刷適用于玻璃機械、紡織印染機械、鋼鐵工業、汽車工業、制藥機械、電子工業、包裝機械、印刷機械、家電業、門窗業、家具業、機械、食品機械、飲品、水果、蔬菜、環衛環保、等行業產品的清洗、除塵、拋光、密封、吸水和高溫下帶材輸送。在信息存儲產業中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。

各種純度鋁中的雜質含量及剩余電阻率如表2所示。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5。現代科學技術的發展趨勢是對金屬純度要求越來越高。因為金屬未能達到一定純度的情況下，金屬特性往往為雜質所掩蓋。不僅是半導體材料，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質存在影響金屬的性能。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5。

鎢過去用作燈泡的燈絲，由于脆性而使處理上有困難，在適當提純之后，這種缺點即可以克服（鎢絲也有摻雜及加工問題）。

濺射靶材ITO靶材的生產工藝ITO靶材的生產工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。各種生產工藝及其特點簡介如下：

熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝制造產品密度高、物理機械性能好，但設備投入高，生產成本高，產品的缺氧率高。在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。