公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場(chǎng)效應(yīng)管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在n溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的區(qū)別：

1.場(chǎng)效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，在性能方面，場(chǎng)效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計(jì)合理，采用場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)明顯提升整體性能；

2.場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面，場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管，是三極管無(wú)法替代的；

3.場(chǎng)效應(yīng)管是單極型管子，即管子工作時(shí)要么只有空穴，要么只有自由電子參與導(dǎo)電，只有一種載流子；三極管是雙極型管子，即管子工作時(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與；

4.場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制器件，沒(méi)有輸入電流也會(huì)有輸出電流；三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會(huì)有輸出電流；

5.場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗大；三極管輸入阻抗小；

6.場(chǎng)效應(yīng)管的頻率特性不如三極管；

7.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí)；

8.信號(hào)源電流小應(yīng)該選用場(chǎng)效應(yīng)管，反之則選用三極管更為合適。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗，對(duì)開關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS(ON)也是重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的簡(jiǎn)單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。

MOSFET管有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產(chǎn)制造為四種類型，分別是增強(qiáng)型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種，但其實(shí)在實(shí)際的運(yùn)用中一般只用增強(qiáng)型的N溝道和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。

針對(duì)這兩種增強(qiáng)型的MOS管，其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強(qiáng)型的N溝道MOS管的導(dǎo)通電阻更小，并且生產(chǎn)簡(jiǎn)便，因此在開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)的運(yùn)用中，我們一般使用增強(qiáng)型的N溝道MOS管。

MOS管的三個(gè)管腳中有寄生電容的存在，雖然說(shuō)這并不是大家所需要的，但其中生產(chǎn)制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容，這讓其設(shè)計(jì)方案或挑選驅(qū)動(dòng)電源電路的情況下會(huì)更麻煩一些，其中還沒(méi)有解決的辦法能避免。

在MOS管的漏極和源極中有一個(gè)寄生二極管叫做體二極管，就驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載來(lái)說(shuō)，二極管對(duì)其十分重要。順帶說(shuō)一句，體二極管只在單獨(dú)的MOS管內(nèi)存在，在集成電路芯片內(nèi)部一般都是沒(méi)有的。