公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
場效應(yīng)管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，場效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在n溝道場效應(yīng)管的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚場效應(yīng)管的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。
場效應(yīng)管與三極管的區(qū)別：
1.場效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，在性能方面，場效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計合理，采用場效應(yīng)管會明顯提升整體性能；
2.場效應(yīng)管和三極管一樣都能實現(xiàn)信號的控制和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面，場效應(yīng)管優(yōu)于三極管，是三極管無法替代的；
3.場效應(yīng)管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導(dǎo)電，只有一種載流子；三極管是雙極型管子，即管子工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與；
4.場效應(yīng)管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流；三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流；
5.場效應(yīng)管輸入阻抗大；三極管輸入阻抗小；
6.場效應(yīng)管的頻率特性不如三極管；
7.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級；
8.信號源電流小應(yīng)該選用場效應(yīng)管，反之則選用三極管更為合適。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗，對開關(guān)應(yīng)用來說，RDS(ON)也是重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅(qū)動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。
MOSFET管有兩個電極，一個是金屬，另一個是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產(chǎn)制造為四種類型，分別是增強型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種，但其實在實際的運用中一般只用增強型的N溝道和增強型的P溝道MOS管，因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。
針對這兩種增強型的MOS管，其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強型的N溝道MOS管的導(dǎo)通電阻更小，并且生產(chǎn)簡便，因此在開關(guān)電源和電機驅(qū)動的運用中，我們一般使用增強型的N溝道MOS管。
MOS管的三個管腳中有寄生電容的存在，雖然說這并不是大家所需要的，但其中生產(chǎn)制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容，這讓其設(shè)計方案或挑選驅(qū)動電源電路的情況下會更麻煩一些，其中還沒有解決的辦法能避免。
在MOS管的漏極和源極中有一個寄生二極管叫做體二極管，就驅(qū)動感性負(fù)載來說，二極管對其十分重要。順帶說一句，體二極管只在單獨的MOS管內(nèi)存在，在集成電路芯片內(nèi)部一般都是沒有的。