在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。不僅是半導體材料，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質存在影響金屬的性能。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發(fā)現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。

超純金屬的制備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區(qū)熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區(qū)熔提純或區(qū)熔提純與其他方法相 結合有效。

由于容器與藥劑中雜質的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區(qū)熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。熔鹽電解法為連續(xù)性生產過程，產量較大，設備簡單，成本較低，但電解槽需用耐高溫氯化物或氟化物腐蝕的結構材料制造。可以用半導體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區(qū)域熔煉）。

區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。

由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，然后再進行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數值。

在的八個元素中，我們知道，除了白銀以外（計價以千克計算），其余都是以克為計算單位，而且需保留小數點后至少二位數，市場價除白銀在萬元/千克以內，其余少則幾萬元，多則幾十萬元每千克，甚至像銠出現過百萬元以上每千克的價格，所以之貴，真是名副其實，毫無。如上所述，在獨立地將填料(B)至(D)與橡膠組分(A)混和時，必須大量使用填料。

除了在現代工業(yè)中被廣泛應用外，也是人類社會消費的重要領域，由于其艷麗的永恒的金屬光澤，首飾及其裝飾物更為人們所津津樂道，其中黃金更兼具金融貨幣的功能，是抵御通貨膨脹的好的選擇品種，是社會資本投資的重要的領域，也是投資者的以少博多的創(chuàng)造財富的重要渠道。主要有四種提純方法在試驗室中使用，即真空熔融，真空蒸餾或升華，電遷移和區(qū)域熔煉。