太陽電池的分選對組件的性能及質量控制起著極其重要的作用，它將不僅影響到組件的電性能輸出，而且極有可能引起曲線異常和熱斑現象，導致組件的早期失效。本文從測試設備的軟、硬件方面著手，詳細分析了影響電池分選的主要原因，并且針對每個主要原因進行實驗分析、驗證，提出解決方案，終發現對電池片fV曲線擬合可以有效地解決電池片分選的問題，并終通過大量的數據分析驗證方案的有效性，目前這一方法已得到廣泛應用。

鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。現在工業生產中常采用PECVD設備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價電子數為4,序數適中,所以硅元素具有特殊的物理化學性質，可用在化工、光伏、芯片等領域。特別是在芯片領域，正式硅元素的半導體特性,使其成為了芯片的基石。在光伏領域，可用于太陽能發電。而且地球的地殼中硅元素占比達到25.8%，開采較為方便，可回收性強，所以價格低廉,進-步增強了硅的應用范圍。

電路板清洗技術

1、水清洗技術

水清洗技術是今后清洗技術的發展方向，須設置純凈水源和排放水處理車間。它以水作為清洗介質，并在水中添加表面活性劑、助劑、緩蝕劑、螯合劑等形成一系列以水為基的清洗劑。可以除去水溶劑（助焊劑為水溶性）和非極性污染物。其清洗工藝特點是：

1） 安全性好，不燃燒、基本無毒；

2） 清洗劑的配方組成自由度大，對極性與非極性污染物都容易清洗掉，清洗范圍廣;

3） 多重的清洗機理。水是極性很強的極性溶劑，除了溶解作用外，還有皂化、乳化、置換、分散等共同作用，使用超聲比在中有效得多；

4） 作為一種天然溶劑，其價格比較低廉，來源廣泛。

電路板清洗技術

半水清洗技術

半水清洗主要采用和去離子水，再加上一定量的活性劑、添加劑所組成的清洗劑。該類清洗介于溶劑清洗和水清洗之間。這些清洗劑都屬于，屬于可燃性溶劑，閃點比較高，毒性比較低，使用上比較安全，但是須用水進行漂洗，然后進行烘干。有些清洗劑中添加5%~20%的水和少量表面活性劑，既降低了可燃性，又可使漂洗更為容易。半水清洗工藝特點是：

1） 清洗能力比較強，能同時除去極性污染物和非極性污染物，洗凈能力持久性較強；

2） 清洗和漂洗使用兩種不同性質的介質，漂洗一般采用純水；

3） 漂洗后要進行干燥。

該技術不足之處在于廢液和廢水處理是一個較為復雜和尚待解決的問題。