在LED芯片制作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來，這些就是后面的散晶，此時在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試，對于不符合相關要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣給客戶了，也就是目前市場上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西，如方片)。

LED制作流程分為兩大部分。

首先在襯低上制作氮化家(GaN)基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延爐中完成的。

準備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用氣相反應物(前驅物)及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應，將所需的產物沉積在襯底表面。

通過控制溫度、壓力、反應物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質。

MOCVD外延爐是制作LED外延片蕞常用的設備。

LED的芯片數量常識：

同一個LED燈，常見的是只采用一個芯片，但物殊情況下可以用兩個甚至達到四個芯片，如：一個草帽燈可以用一至兩個芯片（考慮到其體積較小，散熱不方便導致性能不穩定，一般只采用一兩個芯片）；一個食人魚燈可以用一，二，三，四個芯片，我司到的是一個和兩個芯片；貼片3528燈可以用一，二，三個芯片（我司常用一，二個芯片），貼片5050/5060一般用到三個芯片。特別說明：貼片燈用三個芯片時，有兩種情形：

1． 三個芯片的顏色完全相同

2． 三個芯片分別是紅，綠，藍色，即我們常說的RGB燈

LED的發光角度常識：

直插式LED常見的發光角度是120度，特殊的可以做到45度，或者15度。我司常用的直插式LED一般是120度，硅膠燈條采用的是45度；貼片式LED一般發光角度為120度。

LED的電壓 (voltage) 常識：

單個小功率LED燈，顏色不同，其要求的電壓也不同。紅/黃：一般為1.8~2.1伏，白/綠/藍：一般為3.0~3.6伏。1W大功率燈要求的電壓與以上相同。

LED的電流 (current) 常識：

1． 小功率的LED燈（包括插件式或者貼片式），每個芯片上允許通過的電流一般不要高于20毫安；每個雙芯片燈上允許通過的電流一般不高于40毫安；同理每個三芯片燈不要高于60毫安。。。。

2． 大功率LED，我司已采用的是1W，其允許通過的電流為150毫安。

二次封裝LED生產工藝可以給LED產品帶來以下優勢：

(1)產品品質的一致性：二次封裝工藝均采用數控式流水線設備生產，解決了以往人工灌膠做防水處理所帶來的產品品質一致性較差和產品壽命短等問題，現代化的生產設備，在提升了生產量的同時又確保燈具質量的一致性。

(2)燈具產品防水性高：經上海市質量監督檢驗技術研究院、國家電光源質量檢驗中心、國家燈具質量監督檢驗中心檢測，二次封裝LED光源系統防護等級IP68(防護等級中的別，水下燈級別)。

(3)燈具的高穩定性：解決了LED燈具在戶外使用過程中由于進水導致的燈具損壞和工程質量問題，使LED大型項目的穩定運行達到有力保障。