而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。痕量元素的化學分析系指一克樣品中含有微克級（10克/克）、毫微克級（10克/克）、微微克級（10克/克）雜質的確定。

為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。所述絕緣橡膠為選自由三元乙丙橡膠、硅橡膠和丁基橡膠構成的組中的至少一種橡膠。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。

超純金屬的制備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區熔提純或區熔提純與其他方法相 結合有效。

由于容器與藥劑中雜質的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。所述擇點測量機構包括一安裝在機座上的第二驅動電機、一對安裝在所述第二驅動電機上的第二傳動軸、一安裝在機座上并與所述第二傳動軸平行的滑軌及若干安裝在滑軌上的測點探針。可以用半導體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區域熔煉）。

在鉑族金屬的應用中，光學玻璃行業是鉑的重要的應用領域，鉑是制造熔制光學玻璃的坩堝和攪拌器的必選材料，由于光學玻璃的特殊性，提出了對坩堝和攪拌器的更苛刻的適用要求，早在八十年代初期，國內就有人提出了用彌散強化鉑來制作坩堝和攪拌器。

21世紀展現良好發展前景的納米技術，貴金屬由于它們的獨特優異的物理化學性能，資源的稀缺性以及在已知的傳統產業領域的不斷擴大應用和在未知領域的不斷開拓探索，成為納米技術早和相當重要的研究對象之一。