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聚焦離子束技術(FIB)的定義與注意事項

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聚焦離子束技術(FIB)的定義與注意事項

廣電計量可以做AEC-Q-100認證報告,AEC-Q-101認證報告,AEC-Q-102認證報告, AEC-Q-104認證報告,AEC-Q-200認證報告,元器件篩選,破壞性物理分析,NVH測試

廣州廣電計量檢測股份有限公司(股票簡稱:廣電計量,股票代碼:002967)始建于1964年,是原信息產業部電子602計量站,經過50余年的發展,現已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構,專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專業技術服務,在計量校準、可靠性與環境試驗、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業務規模處于國內**水平.

1、聚焦離子束技術(FIB)的定義

聚焦離子束技術(Focused Ion beam,FIB)是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面,實現材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發展,納米尺度制造業發展迅速,而納米加工就是納米制造業的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束技術(FIB)利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等。

2.原理

聚焦離子束(Focused Ion beam, FIB)的系統是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器,目前商用系統的離子束為液相金屬離子源(Liquid metal Ion Source,LMIS),金屬材質為鎵(Gallium, Ga),因為鎵元素具有低熔點、低蒸氣壓、及良好的抗氧化力;典型的離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5-6軸向移動的試片基座、真空系統、抗振動和磁場的裝置、電子控制面板、和計算機等硬設備,外加電場于液相金屬離子源,可使液態鎵形成細小尖端,再加上負電場(Extractor) 牽引尖端的鎵,而導出鎵離子束,在一般工作電壓下,尖端電流密度約為1埃10-8 Amp/cm2,以電透鏡聚焦,經過一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA)可決定離子束的大小,再經過二次聚焦至試片表面,利用物理碰撞來達到切割之目的

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