區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時(shí)，純度相當(dāng)于8～9，可以滿(mǎn)足電子器件的要求。但對(duì)于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測(cè)器級(jí)超純鍺，則尚須經(jīng)過(guò)特殊處理。

由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級(jí)純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測(cè)量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達(dá)10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達(dá)到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測(cè)器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。主要有四種提純方法在試驗(yàn)室中使用，即真空熔融，真空蒸餾或升華，電遷移和區(qū)域熔煉。

工業(yè)上大量使用的是工業(yè)純稀土金屬，較高純度的稀土金屬主要供測(cè)定物理化學(xué)性能之用。主要有四種提純方法在試驗(yàn)室中使用，即真空熔融，真空蒸餾或升華，電遷移和區(qū)域熔煉。 稀土金屬棒在區(qū)域熔煉爐中以很慢的速度（如提純釔時(shí)為0.4毫米/分），進(jìn)行多次區(qū)熔，對(duì)去除鐵、鋁、鎂、銅、鎳等金屬雜質(zhì)有明顯效果，但對(duì)氧、氮、碳、氫無(wú)效。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的ITO靶材。此外，電解精煉、區(qū)熔－電遷移聯(lián)合法提純稀土也有一定效果。

中國(guó)的貴金屬工業(yè)由于較長(zhǎng)時(shí)期處于國(guó)家計(jì)劃經(jīng)濟(jì)體制，因此發(fā)展比較緩慢，特別是鉑族金屬起步更是比較晚，工藝技術(shù)比較落后，國(guó)內(nèi)資源更是匱乏，直到改革開(kāi)放以后，以上海黃金的開(kāi)業(yè)為標(biāo)志，在這三十年里，才得到了迅速的發(fā)展，出現(xiàn)了現(xiàn)貨、紙黃金、紙白銀等等的交易模式，為投資者開(kāi)打了通往財(cái)富的大門(mén)，更多的開(kāi)辟了就業(yè)渠道，同時(shí)鉑族金屬的生產(chǎn)加工企業(yè)和流通領(lǐng)域的企業(yè)也似雨后春筍，蓬勃發(fā)展，使中國(guó)成為很大的的鉑族金屬進(jìn)口和消費(fèi)國(guó)。在貴金屬深加工產(chǎn)品這一領(lǐng)域，如何來(lái)提升貴金屬產(chǎn)品的技術(shù)含量和檔次，貴金屬納米技術(shù)、納米材料的科學(xué)研究，實(shí)踐應(yīng)用是這個(gè)產(chǎn)業(yè)向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的方向，成為當(dāng)代關(guān)注和競(jìng)爭(zhēng)的主要課題。

燒結(jié)法：ITO靶材燒結(jié)制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧錫混合粉末為原料，加入粘結(jié)劑和分散劑混合后，壓力成型，脫脂，然后于1400℃---1600℃燒結(jié)。燒結(jié)法設(shè)備投入少，成本低，產(chǎn)品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造過(guò)程中對(duì)粉末的選擇性很強(qiáng)。因此，對(duì)于使用微細(xì)色粉的高畫(huà)質(zhì)復(fù)印機(jī)和打印機(jī)用輥筒，特別是色粉供給輥，要求更細(xì)的微孔。

ITO靶制備的透明導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、投影電視、數(shù)碼顯示的各種光學(xué)系統(tǒng)中，全球需求量都很大。