而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。3：廢鈀碳催化劑提鈀，首先用物理原理把碳等有機物去除，剩下金屬鈀，再用化學試劑溶解金屬鈀，再進行下一步鈀分離。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。

為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持續增加．這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。

任何金屬都不能達到純。“超純”具有相對的含義，是指技術上達到的標準。

由于技術的發展，也常使 “超純”的標準升級。“超純”的相對名詞是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”（晶體缺陷），后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。

但只當金屬純度達到很高的標準時（如純度9以上的金屬），物理雜質的概念才是有意義的，因此目前工業生產的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。

在深加工產品這一領域，如何來提升產品的技術含量和檔次，納米技術、納米材料的科學研究，實踐應用是這個產業向產業化發展的方向，成為當代關注和競爭的主要課題。

納米、（nm）納米技術、納米材料是當代科技領域中的熱門名詞，已經成為現實和潛在的巨大的應用前景的納米銀線，已在山東、浙江、北京等地進入人們的視野，并進入國際市場，如果按照銀的當前價7元/克計算的話，納米銀線的價格將是銀價的350倍以上。

濺射靶材ITO靶材的生產工藝ITO靶材的生產工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。各種生產工藝及其特點簡介如下：

熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。熱等靜壓工藝制造產品密度高、物理機械性能好，但設備投入高，生產成本高，產品的缺氧率高。