電子器件損壞特性概述

一、電阻損壞特性

電阻器是數量的電子設備，但并非損壞率高的元件。電阻性損傷以開路為常見，阻值變大是罕見的，阻值變小也很少見。常用的有碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻、保險電阻等。

頭兩種電阻應用，破壞特性如下：一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100 kΩ以上)損壞率較高，中間阻值(如幾百歐至幾十千歐)損壞；二是低阻值電阻損壞時往往是燒焦發黑，很容易發現，而高阻值電阻損壞時很容易發現。

線繞電阻通常用于大電流限制，但阻值不大。圓筒形線繞電阻燒壞后有些會發黑或表面爆皮、裂紋，有些無痕。水阻是線繞電阻的一種，燒壞后可能會斷裂，否則沒有任何可見痕跡。保險絲電阻燒壞的時候有些表面會炸掉一塊皮，有些也沒有任何痕跡，但不會變黑。基于上述特點，在檢測電阻時可著重于快速找到損壞電阻。

二、電解電容損壞特點

電容器在電氣設備中的用量很大，故障率很高。電解質損壞主要表現為：

一是容量完全損失或容量減少；

二為輕度或嚴重漏電；

三是容量損失或容量變小兼有漏電。

三、二極管，三極管等半導體器件損壞特性

三極管的損壞一般為 PN結擊穿或開路，其中以擊穿短路為主。另外，還存在兩種損壞表現：

，熱穩定性變差，表現為通電時正常，一段時間后發生軟擊穿；

二是 PN結的性質變差，用萬用表 R×1 k測得，所有 PN結都正常，但是上機后，不能正常工作，如果用 R×10或 R×1低量程檔測， PN結正向阻值比正常值大。

四、集成電路損害特征

IC內部結構復雜，有很多功能，其中任何一部分損壞不能正常工作。IC有兩種損壞：完全損壞，熱穩定性差。當一個電路完全損壞時，可以拆開它，和一般同型號的集成電路比較，測其每個針對地的正反兩個電阻，總能發現一個或幾個管腳阻值異常。對于熱穩定性差的，可以在設備工作時，用無水酒精冷卻集成電路，如果故障出現延遲或不再發生故障，就可以判定。一般只能更換新集成電路來排除。

電子器件檢測行業市場前景預測

當前，電子元器件檢測行業已經形成了一個比較成熟、的工作體系，為我國科技領域提供有效的技術支持。據統計，今年電子電器類檢驗檢測機構年度收入約180億元，同比增長31.20%，遠高于傳統行業增速。隨著電子產品生命周期的縮短，檢測頻率和產品種類的雙重提升，這一領域的市場規模有望持續保持較高的增長速度。

在我國高新技術制造業中，電子元器件檢測行業越來越深入，集成電路檢測已經成為電子元器件檢測的重要組成部分，集成電路檢測這個細分行業屬于 IC設計、制造相關行業與電子元器件檢測行業的交叉領域。經過檢測的 IC產品已在各領域得到大規模應用，并已廣泛應用于我國航天、電子、等諸多下游領域。IC設計企業作為電子元器件檢測的直接客戶， IC設計市場的不斷擴大，集成電路市場的擴大，為電子元器件檢測行業提供了比較廣闊的商機。

數字集成的家庭線路

邏輯族是一組電子邏輯門，每個系列都有其的分立邏輯門、獨立組件、電源、特性、優點和缺點。特定系列內的電壓范圍可以證明是高電平或低電平。一些家庭包括以下內容。

DL 或二極管邏輯

二極管和寄存器實現邏輯。除了邏輯開關之外，二極管還有助于執行“AND”和“OR”運算。確保二極管具有用于傳導的正向偏壓始終變得至關重要。雖然有益，但除了無法在許多狀態下運行之外，它無法執行“NOT”功能。它還傾向于快速降低信號。

RTL 或電阻-晶體管邏輯

在這種情況下，晶體管和寄存器可以很好地實現邏輯。晶體管將反相信號與放大輸入相結合。RTL 設計簡單且經濟，但速度較慢。此外，RTL 需要大量電流，它們可用作數字電路和線性電路之間的接口。

DTL 或二極管晶體管邏輯

二極管和寄存器用于實現邏輯。DTL 比 RTL 和 DL 有優勢。它的二極管除了具有晶體管和放大輸出信號的能力外，還可以執行“或”和“與”操作。DTL 中存在的邏輯反轉允許信號恢復到完整的邏輯電平，主要是在邏輯門的輸出端加入晶體管。“或”功能由二極管而不是電阻器執行，它消除了輸入信號之間的相互作用。

TTL 或晶體管-晶體管邏輯

除了雙極晶體管之外，TTL 還實現了集成電路中的邏輯。它以標準、高速、低功耗或肖特基 TTL 的形式出現。然而，家庭代表了電子行業人們的流行選擇。

ECL 或發射極耦合邏輯

該邏輯是非結構化的，具有高速和低傳播延遲的優點。

CMOS 或互補金屬氧化物半導體邏輯

由于其低功耗和高扇出，它是大多數人的流行邏輯選項。因此，它代表了邏輯系列中可靠的。

談論熱門的太赫茲芯片

在太赫茲芯片相關的基礎設施方面，與太赫茲技術相關的芯片通常采用成熟的工藝，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工藝(大部分采用65 nm工藝)，這是因為先進工藝的器件特性對于太赫茲技術來說并不是很大。他說：“我們預計，未來太赫茲芯片的芯片工藝將逐漸向28 nm轉移，但不能使用16 nm以下。其結果是，中國的太赫茲芯片不受半導體工藝的限制。

但在半導體工藝之外，中國在太赫茲芯片領域的基礎設施在 EDA領域落后。目前太赫茲 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做無源器件(以及波導)模擬，同時將電路級有源器件的常用模擬 Cadence的 SpectreRF集成起來。這方面，中國的 EDA技術與世界水平相比還有不少差距。

在太赫茲芯片設計領域，中科院上海微系統所、中電38所、50所等科研機構都有相關投入。另外，在太赫茲芯片商用化領域，一些中國的創業公司也正在努力。舉例來說，以太赫茲安檢成像技術為主導的新公司微度芯創公司，已有80 GHz雷達芯片量產，160 GHz雷達芯片已完成驗證，240 GHz雷達芯片正在設計中，預計在未來幾年內其產品將會進入下一代基于太赫茲成像的高通量安檢產品，值得我們期待。當太赫茲技術進一步成熟時，我們相信中國的相關芯片領域也會越來越多。這個領域并非完全陌生，很多設計技巧和毫米波電路和系統都可以說是一脈相承的，除此之外，中國還有很大的安全檢測市場，所以我們認為中國在未來太赫茲芯片設計領域將會世界的潮流。