以含有氯原子的表橡膠為代表的橡膠組分，用于導(dǎo)電橡膠輥，以允許導(dǎo)電橡膠輥呈離子導(dǎo)電性。該情況下，含有氯原子的橡膠組分具有較高的表面自由能。因此，含有氯原子的橡膠組分容易粘附于色粉和用于色粉的添加劑上。當(dāng)含有氯原子的橡膠組分與離子導(dǎo)電的單體聚合時，導(dǎo)電輥具有較高的表面自由能并且容易弄濕。因此粘附于導(dǎo)電橡膠輥的色粉量變得較高。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。當(dāng)通過用紫外線照射其表面或者使其暴露于臭氧中，使導(dǎo)電橡膠輥的表面上形成氧化膜時，導(dǎo)電橡膠輥表面的氧濃度變得較高。

鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的壓力下等方加壓燒結(jié)。

各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。

鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：

熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導(dǎo)體集成電路、太陽能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。