公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場效應管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，場效應管可被看成電氣開關。當在n溝道場效應管的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚場效應管的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管，是在集成電路里的帶有絕緣性的場效應管。MOS 管作為半導體領域基礎的器件之一，不管是在板級電路的應用上，還是IC的設計里，都十分廣泛。MOS管的drain和source是可以相互調換過來的的，都是在P型backgate里形成的一個N型區。在普遍的情況下，這兩個區都是相同的，就算這兩段相互調換過來也是不會去影響到器件的性能。所以這器件被認為是對稱的。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場效應管的主要參數有很多種，其中包含直流電流、交流電流的參數和極限參數，但一般應用時只需關心下列基本參數：飽和狀態的漏源電流量IDSS夾斷電壓Up，跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大損耗輸出功率PDSM和較大漏源電流量IDSM。