MOS管FET柵源保護：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因為選用驅動集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的產生，一般在 MOS 控制器的導出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯穩壓極管以限定柵極工作電壓在穩壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。

3）安全防護漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

判定柵極

用萬用表的黑表筆去觸碰管子的隨意一個電極，紅表筆分別去觸碰另外的兩個電極。如果兩次都測出的阻值較小，說明兩者都是正向電阻，該管屬于是N溝道的場效應管，黑表筆接觸的一樣也是柵極。

制作的過程中就決定了場效應管的漏極和源極是對稱的 ，可以互相交換使用 ，并不會影響電路的使用，電路此時也是正常的，所以不用去過度區分。漏極和源極之間的電阻大約是幾千歐。不能使用這個方法去判斷絕緣柵型場效應管的柵極。因為這管子輸入的電阻是極高的，而且柵源之間的極間電容又是非常小的，測量的時候只要有少量電荷，就可以在極間電容上面形成極高的電壓，管子將很容易損壞。

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mos管小電流發熱的緣故

1、電路原理的難題，便是讓MOS管工作中在線形的運行狀態，而不是在開關情況。這也是造成 MOS管發熱的一個緣故。假如N-MOS做開關，G級工作電壓要比開關電源高幾V，才可以徹i底通斷，P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導致輸出功率耗費，等效電路直流電特性阻抗較為大，損耗擴大，因此U*I也擴大，耗損就代表著發熱。這也是設計方案控制電路的避諱的不正確。

2、頻率太高，主要是有時候太過追求完i美容積，造成 頻率提升，MOS管上的消耗擴大了，因此發熱也增加了。

3、沒有做到充足的排熱設計方案，電流太高，MOS管允差的電流值，一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流，也很有可能發熱比較嚴重，必須充足的輔助散熱器。

4、MOS管的型號選擇不正確，對輸出功率分辨不正確，MOS管內電阻沒有考慮到，造成開關特性阻抗擴大。

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MOS管導通的意思就是將其做為開關，等同于開關合閉。NMOS的特點是當Vgs超過限定的值時就會導通，適用與源極接地裝置的狀況，只需柵壓電壓做到4V或10V就可以了。而PMOS的特點則是當Vgs低于一定的值就會導通，適用與源極接Vcc的狀況。可是，盡管PMOS能夠很便捷的作為高i檔驅動，但因為導通電阻器大、價錢成本高、更換類型少等緣故，在高i檔驅動中，一般都用NMOS。