|
公司基本資料信息
|
|||||||||||||||||||||||||
溫補晶振介紹
溫補晶振輸出方式分:削峰正弦波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃),CMOS 方波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃),LVDS 差分方波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃)(0.8p 低抖動)。另外溫補晶振 32.768KHz 低功耗可達(0.79μA@1.8V,1.05μA@2.5V,1.25μA@3.0V,1.37μA@3.3V,2.05μA@5V)。
想了解更多關于溫補振蕩器的相關資訊,請持續關注北京晶宇興。

晶體振蕩器實際應用
晶體振蕩器實際應用的環境需要慎重考慮。例如,高強度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產生物理損壞,振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應的擾動會產生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應用,EMI是另一個要優先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術,重要的是選擇可提供輻射量小的時鐘振蕩器。一般來說,具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現較好的EMI特性。我公司備有大量現貨,有需要的客戶,歡迎前來選擇!

晶體振蕩器的主要參數
(1)頻率準確度;(2)溫度穩定度;(3)頻率調節范圍;(4)調頻(壓控)特性;(5)負載特性;(6)電壓特性;(7)雜波;(8)諧波;(9)頻率老化;(10)日波動;(11)開機特性;(12)相位噪聲。我司可提供高溫電子解決方案,常年備有大量高溫晶振的現貨,可以從性能參數,成本等各方面為您的設計保駕護航,有的技術人員協助您設計,歡迎您前來咨詢!
