溫補(bǔ)晶振介紹

溫補(bǔ)晶振輸出方式分：削峰正弦波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），CMOS 方波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），LVDS 差分方波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃）（0.8p 低抖動(dòng)）。另外溫補(bǔ)晶振 32.768KHz 低功耗可達(dá)（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。

想了解更多關(guān)于溫補(bǔ)振蕩器的相關(guān)資訊，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注北京晶宇興。

晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用

晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，高強(qiáng)度的振動(dòng)或沖擊會(huì)給振蕩器帶來問題。除了可能產(chǎn)生物理?yè)p壞，振動(dòng)或沖擊可在某些頻率下引起錯(cuò)誤的動(dòng)作。這些外部感應(yīng)的擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生頻率跳動(dòng)、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對(duì)于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用，EMI是另一個(gè)要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù)，重要的是選擇可提供輻射量小的時(shí)鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時(shí)間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。我公司備有大量現(xiàn)貨，有需要的客戶，歡迎前來選擇！

晶體振蕩器的主要參數(shù)

（1）頻率準(zhǔn)確度；（2）溫度穩(wěn)定度；（3）頻率調(diào)節(jié)范圍;（4）調(diào)頻（壓控）特性；（5）負(fù)載特性；（6）電壓特性；（7）雜波；（8）諧波；（9）頻率老化；（10）日波動(dòng)；（11）開機(jī)特性；（12）相位噪聲。我司可提供高溫電子解決方案，常年備有大量高溫晶振的現(xiàn)貨，可以從性能參數(shù)，成本等各方面為您的設(shè)計(jì)保駕護(hù)航，有的技術(shù)人員協(xié)助您設(shè)計(jì)，歡迎您前來咨詢！