半導電膠輥通常用在復印機、電子傳真裝置等辦公設備中。半導電膠輥屬于半導電元件，且電阻值受環境影響較大，對產品的導電性要求極其嚴格，因為打印的全過程是碳粉通過電場的壓力來實施，所以輕微的電性誤差將導致在打印過程中文字和圖片深淺不一的現象。目前主要以化學雜質的含量為標準，常以雜質在金屬中總含量的百萬分之幾表示。因此需精密的量測，故要求有一套高精密的量測系統來支持，方能達到產品的設計要求。

但是靶材制作困難，這是因為氧化銦不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數值。日本的科學家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結溫度超出部分已經揮發，這樣能夠在液相燒結條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。

任何金屬都不能達到純。“超純”具有相對的含義，是指技術上達到的標準。

由于技術的發展，也常使 “超純”的標準升級。“超純”的相對名詞是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”（晶體缺陷），后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。

但只當金屬純度達到很高的標準時（如純度9以上的金屬），物理雜質的概念才是有意義的，因此目前工業生產的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。