1、深紫外LED燈珠儲存條件：溫度10℃～26℃，濕度40%～65%，包裝袋密封保留。

2、使用的全部進程一切與深紫外LED燈珠直接接觸的人員都要做好避免和消除靜電辦法，切勿直接用手接觸紫外發光二極管；

3、出產前查看機臺設備接地線是否正常，工作臺面要求鋪好靜電膠布，膠布之間應相互銜接并接地；

4、焊接時，要留意焊接時刻，焊接溫度，別的正負極性要分清；

5、電流電壓等電氣參數不能超過額外參數值；

焊接大功率UV LED時需要留意：

1、焊接時刻不能超過3S；

2、焊接溫度要≤260度；

3、回流焊接只允許焊1次；

4、焊接時，分清正負極性，留意避開透鏡，以防損壞透鏡

5、 做好散熱辦法，特別是大功率深紫外LED燈珠盡量保證滿足散熱器面積

6、為使紫外發光二極管壽數更長，主張使用較安穩的恒流驅動電流或IC，而不要選用恒壓驅動電源或IC.

在做LED紫外線燈操作的時分，雙眼不可直視紫外線,做好雙眼和肌膚的防護。

未來UVC 深紫外LED燈珠市場被劃分為兩部分，一部分是面向通用照明的可見光LED，而另一類則是以高科技為特色的深紫外LED。而深紫外LED市場目前還是一片藍海，其廣闊的市場前景，成為繼半導體照明LED之后，全球LED研究與投資的新熱點。

半導體產業技術研究院的研究人員從材料和器件結構等多方面對紫外LED開展了較系統深入的技術研發。在此前AlGaN基紫外光電材料及器件取得的系列進展基礎上，近日研究人員設計了多種新型載流子收集層結構，并引入深紫外LED器件中，結果表明具有Al組分漸變的AlGaN載流子收集層能有效地改善深紫外LED的空穴注入水平和輻射復合速率，顯著增強280納米深紫外LED器件的內量i子效率，其出光功率相比傳統結構的深紫外LED提高了73.3%。

在材料的選用上，UVC LED封裝與一般LED有所不同。首先，選用石英玻璃是由于石英屬于無機物，不會受紫外線的影響，且石英玻璃對于UVC波段的透過率高。其次，在散熱基板方面，由于UVC LED光電轉換效率低，大部分轉換成熱量，所以一般采用導熱率高的氮化鋁散熱基板。此外，UVC對膠水具有壞作用，因此，粘結玻璃和支架的膠水在耐紫外性能上的要求亦比一般LED封裝高。

另值得注意的是，有部分廠商采用氧化鋁散熱基板。氮化鋁和氧化鋁基板都屬于陶瓷基板，兩者主要區別在于：氮化鋁的導熱率比氧化鋁高很多。其中，氮化鋁導熱率一般約為140W/mK-170W/mK，而氧化鋁導熱率僅30W/mK左右。

氧化鋁陶瓷一般呈現白色，導熱率低，通常用于低功率產品。然而，氧化鋁陶瓷脆性較大，相較于氮化鋁更容易碎裂，因此在劃片切割過程中容易出現崩角現象。氮化鋁陶瓷一般呈現灰黑色，具有高導熱率，通常用于大功率產品。另外，市面上也存在摻雜碳粉的氧化鋁陶瓷，同樣呈現灰黑色，但導熱率更低。