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公司基本資料信息
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LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極,并能滿足可接觸材料之間較為小的壓降及提供焊線的壓墊,同時盡可能的多地出光。
渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法,4Pa高真空下,用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化,并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。
一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金,N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。
鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來,使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。
光刻工序結束后還要通過合金化過程,合金化通常是在H2或N2的保護下進行。
合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。
當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜,需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。
說到LED芯片行業的發展歷史,離不開幾個重要的時間節點。2003年6月,中國科技部首i次提出要發展半導體照明;2006年“十一五”將半導體照明工程作為國家的一個重大工程進行推動;2009年開始,中國各地政府對于LED芯片制造廠商采購MOCVD予以補貼,國內LED芯片廠商收入與凈利潤增加,同時競爭者數量不斷攀升,行業競爭加劇。
2011年國家發改委正式發布中國淘汰白熾燈的政府公告及路線圖,明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年這幾年是淘汰白熾燈的過渡期,同時也是LED照明行業的快速發展期。進入 2016 年以后,各大LED芯片廠擴產帶來的產能釋放,行業洗牌前夕來臨。由于產能過剩,LED芯片引起激烈的價格競爭,導致不少芯片廠商營收和凈利潤雙雙下降,眾多中小廠商被i迫退出市場。
國外廠商也開始調整策略,對國際大廠來說,他們在技術成熟的LED通用市場已失去明顯的競爭優勢,切斷LED“殘腕”或是明智之舉,為避免激烈競爭造成的損失擴大。