各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造；由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，然后再進行區熔提純。在信息存儲產業中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。

熱壓法：ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內充填入適當粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓，同時以1000℃～1600℃進行燒結。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結溫度較低，燒結時間較短。但熱壓法生產的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，從而影響了生產ITO薄膜的均勻性，且不能生產大尺寸的靶。背靶材料：無氧銅(OFC)–目前常使用的作背靶的材料是無氧銅，因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。

背靶材料：

無氧銅(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是無氧銅，因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。 如果保養適當，無氧銅背靶可以重復使用10次甚至更多。

鉬(Mo)– 在某些使用條件比較特殊的情況下，如需要進行高溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和發生翹曲, 所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背靶材料。