溫補(bǔ)晶振器的作用

溫補(bǔ)晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化）通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器

一般石英晶體的頻率都和溫度相關(guān)，

我們所使用的晶體振蕩器，一般是在25度下達(dá)到較大精度。

溫度升高，頻率增大；溫度降低，頻率減小。

通常如果應(yīng)用在計(jì)時(shí)中，需要更高的精度，就需要進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

比如您知道，如果增加匹配電容的容值，就能使振蕩頻率降低。

一個(gè)溫補(bǔ)晶振，可以通過測(cè)量溫度，然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變得準(zhǔn)確和穩(wěn)定。

溫補(bǔ)振蕩器的優(yōu)點(diǎn)

溫補(bǔ)晶體振蕩器研制項(xiàng)目是根據(jù)產(chǎn)品需求，我司比照國外某公司系列晶體振蕩器的性能指標(biāo)，開展實(shí)現(xiàn)插拔替換的國產(chǎn)化替代研制項(xiàng)目。該晶振采用全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了溫補(bǔ)晶體振蕩器的小型化，產(chǎn)品的封裝和安裝面積與進(jìn)口產(chǎn)品一致，可以實(shí)現(xiàn)與進(jìn)口產(chǎn)品的插拔替換，而且高度相比進(jìn)口同類產(chǎn)品降低了兩毫米。該晶振的頻率溫度穩(wěn)定性和穩(wěn)態(tài)相位噪聲都達(dá)到了較高的水平，還具有抗輻照、抗靜電、產(chǎn)品可靠性高，抗振性好等特點(diǎn)，性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到或超過了同類進(jìn)口產(chǎn)品。

溫補(bǔ)振蕩器適用范圍

溫度補(bǔ)償晶體振蕩器低溫范圍的實(shí)現(xiàn)方法及裝置,所述方法包括采用溫度傳感器檢測(cè)所述溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的溫度并根據(jù)所述溫度調(diào)節(jié)發(fā)熱件發(fā)熱實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展所述溫度補(bǔ)償晶體振蕩器工作的低溫范圍,同時(shí)實(shí)施保溫措施.本發(fā)明通過使用溫度傳感器采集溫度根據(jù)溫度調(diào)節(jié)發(fā)熱件局部加熱實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的工作環(huán)境溫度擴(kuò)展,并采取保溫措施,在﹣55℃~40℃環(huán)境溫度下,使溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的局部溫度仍然能保持40℃以上,克服了普通溫度補(bǔ)償晶體振蕩器低于40℃時(shí)性能指標(biāo)急劇惡化的缺點(diǎn),保證了﹣55℃~40℃環(huán)境溫度下溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的性能指標(biāo),同時(shí)具有功耗低,體積小,成本低,穩(wěn)定性好等特點(diǎn).

溫補(bǔ)振蕩器發(fā)展

準(zhǔn)確頻率源是許多電子設(shè)備組成部分,頻率源性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性。隨著便攜式電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展,對(duì)頻率源的要求也越來越高。普通晶體振蕩器是常用的頻率源,但由于其振蕩頻率隨溫度變化呈近似的三次函數(shù)關(guān)系,它的應(yīng)用范圍受到了限制。為了獲得寬溫度范圍的準(zhǔn)確頻率源,通常采用電路對(duì)其進(jìn)行溫度補(bǔ)償。 本文設(shè)計(jì)了一款溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)芯片,該芯片只需外接一顆石英晶振便可構(gòu)成TCXO,該芯片分為壓控晶體振蕩器和模擬溫度補(bǔ)償電路兩個(gè)部分。其中的壓控晶體振蕩器的壓控電容采用MOS可變電容,實(shí)現(xiàn)起來成本低。