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公司基本資料信息
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分選時根據公司的檢驗標準對電池片的外觀進行分選,把不良片(碎片、崩邊、缺角、色點、印刷不良等)分類放置,品管在生產結束前對不良片進行再次判定確認,如在公司標準之內的繼續投入生產,如在公司標準之外的有生產按原材不良和原材碎片退回倉庫;
單焊檢查,單焊在焊接前對分選好的片子互檢,如互檢過程中發現不良片,需經過品管判定確認,在公司標準之內的繼續投入生產,在公司標準之外的當事人和品管員同時在電池片背面簽上姓名和電池片轉化率到分選更換。此類片記為生產分選不良;
在單焊過程中出現不良片,同樣需品管判定確認,電池片尚未焊接同時是電池片本身質量原因(色點、印刷不良、穿孔等)品管員在電池片背后簽上姓名,以原料不良到分選更換;電池片尚未焊接出現碎片、崩邊、缺角的當事人和品管員同時在電池片背面簽上姓名和電池片轉化率到分選更換,此類片記為生產作業不良;
擴散
擴散是為電池片制造心臟,是為電池片制造P-N結,POCl3是當前磷擴散用較多的選擇。POCl3為液態磷源,液態磷源擴散具有生產效率較高、穩定性好、制得PN結均勻平整及擴散層表面良好等優點。
POCl3在大于600℃的條件下分解生成(PCl5)和(P2O5),PCl5對硅片表面有腐蝕作用,當有氧氣O2存在時,PCl5會分解成P2O5且釋放出,所以擴散通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。P2O5在擴散溫度下與硅反應,生成二氧化硅和磷原子,生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續反應生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(PSG),磷原子向硅中擴散,制得N型半導體。
表面制絨
單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液,可用的堿有,和等。大多使用廉價的濃度約為1%的稀溶液來制備絨面硅,腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面,還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和等作為絡合劑,以加快硅的腐蝕。制備絨面前,硅片須先進行初步表面腐蝕,用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25μm,在腐蝕絨面后,進行一般的化學清洗。經過表面準備的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,應盡快擴散制結。