2分鐘前 安徽高速燒錄器廠(chǎng)家即時(shí)留言「蘇州特斯特」[蘇州特斯特31ff5f9]內(nèi)容:換能器負(fù)責(zé)將電磁脈沖轉(zhuǎn)換成聲脈沖,離開(kāi)換能器后,聲波被聲透鏡通過(guò)耦合介質(zhì)(一般是去離子水或無(wú)水酒精等)聚焦在樣品上。耦合介質(zhì)是為了防止超聲 波信號(hào)快速衰減,因?yàn)槌暡ㄐ盘?hào)在一些稀疏介質(zhì)中傳播是,會(huì)快速衰減。樣品置于耦合介質(zhì)中,只要聲波信號(hào)在樣品表面或者內(nèi)部遇到聲波阻抗介面(如遇到孔 隙、氣泡、裂紋等),就會(huì)發(fā)生反射。

EMMI偵測(cè)的到亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)情況;原來(lái)就會(huì)有的亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)飽和區(qū)操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)動(dòng)態(tài)式CMOS (Dynamic CMOS)二極管順向與逆向偏壓崩潰 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)偵測(cè)不到亮點(diǎn)情況不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)的故障奧姆或金屬的短路(Ohmic Short / me
tal Short)亮點(diǎn)被遮蔽之情況埋入式接面的漏電區(qū)(Buried Juncti)金屬線(xiàn)底下的漏電區(qū)(Leakage Sites Under me
tal)

芯片失效分析步驟:
1、非破壞性分析:主要是超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)--看有沒(méi)delamination,xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu),等等;
2、電測(cè):主要工具,萬(wàn)用表,示波器, tek370a
3、破壞性分析:機(jī)械decap,化學(xué) decap芯片開(kāi)封機(jī)
4、半導(dǎo)體器件芯片失效分析 芯片內(nèi)部分析,孔洞氣泡失效分析。
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