公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管的選型是很重要的一個環節，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，同時也會給工程師帶來諸多麻煩。

為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。

在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。 當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

分辨MOS管優劣的原因：JFET的輸入電阻超過100MΩ，而且跨導很高，當柵極引路時室內空間磁場非常容易在柵極上檢測出工作電壓數據信號，使管道趨向截至，或趨向通斷。若將身體感應電壓立即加在柵極上，因為鍵入電磁干擾較強，以上情況會更為顯著。如表針向左邊大幅偏轉，就代表著管道趨向截至，漏-源極間電阻器RDS擴大，漏-源極間電流量減少IDS。相反，表針向右邊大幅偏轉，表明管道趨于通斷，RDS↓，IDS↑。但表針到底向哪一個方位偏轉，應視感應電壓的正負極（正方向工作電壓或反方向工作電壓）及管道的工作中點而定。