5分鐘前 太倉不銹鋼曝光顯影加工生產(chǎn)商即時(shí)留言「在線咨詢」[利成感光38dbdb8]內(nèi)容：曝光不足，導(dǎo)致單體聚合不，那么在顯影過程中，會(huì)使的膠膜變軟，線條不清晰，色澤暗淡，脫膠。曝光過度，會(huì)造成難顯影，留有殘膠。同時(shí)曝光影響圖案的線寬，過量曝光會(huì)使圖形線條變細(xì)，蝕刻產(chǎn)品線條變粗。

曝光顯影工藝主要應(yīng)用于微電子加工中，是一種將芯片圖案傳遞到硅片上的技術(shù)。

曝光顯影工藝可以分為以下步驟：準(zhǔn)備硅片：在硅片上涂覆光刻膠，將硅片和光刻膠一起加熱，使其在表面形成均勻的光刻膠層。

曝光顯影工藝流程是微電子芯片制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵制程，其通常包括以下步驟：準(zhǔn)備基礎(chǔ)物質(zhì)：先選擇基礎(chǔ)物質(zhì)如硅片，并在其表面上涂上一層光刻膠。布圖設(shè)計(jì)：根據(jù)芯片設(shè)計(jì)，制定合適的曝光和顯影條件，并在計(jì)算機(jī)上生成掩模圖形來輔助芯片制造。曝光：使用紫外線曝光機(jī)將掩膜上的圖案投射到光刻膠上。顯影：使用顯影液將未曝光的光刻膠清除掉，將芯片圖案暴露出來。

曝光顯影是一種工程加工技術(shù)，用于制造半導(dǎo)體芯片、液晶顯示器等微電子器件，以及印刷和攝影等領(lǐng)域。曝光顯影使用特定的光刻膠和掩膜，在曝光和顯影兩個(gè)步驟中將所需的圖案或形狀轉(zhuǎn)移到底材表面。盡管對(duì)193i負(fù)膠的研發(fā)已經(jīng)傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負(fù)顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負(fù)顯影工藝可以實(shí)現(xiàn)較窄的溝槽，負(fù)顯影工藝已經(jīng)被廣泛用于20納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)中 [1] 。

3D玻璃顯影曝光技術(shù)在HW mateRs用到了此技術(shù)，該后蓋3D玻璃8曲面，弧面曲率大，

設(shè)計(jì)八曲面玻璃主要是為了滿足如下兩點(diǎn)需求：

1:為壓縮整機(jī)厚度，后蓋弧度大可增加架構(gòu)空間，另未來5G的發(fā)展，器件增加，空間需加大;

顯影液去除并且清洗（rinse）：達(dá)到顯影時(shí)間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會(huì)把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力也對(duì)去除表面顆粒有很大的幫助。