電源供應裝置通過一升降機構安裝在機座上并與控制裝置電連接；一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。所述整體測量機構包括一安裝在機座上的驅動電機、一連接在驅動電機上的傳動軸及一安裝在傳動軸的一端的接地端；所述擇點測量機構包括一安裝在機座上的第二驅動電機、一對安裝在所述第二驅動電機上的第二傳動軸、一安裝在機座上并與所述第二傳動軸平行的滑軌及若干安裝在滑軌上的測點探針。

所述泡沫彈性層包含:至少三種具有不同體積電阻率的導電性橡膠,這三種導電性橡膠的體積電阻率小于約I X ο14 Ω Cm ;至少一種體積電阻率為約IXlO14Qcm或更大的絕緣橡膠；以及至少兩種導電性填料。

所述絕緣橡膠為選自由三元乙丙橡膠、硅橡膠和丁基橡膠構成的組中的至少一種橡膠。根據本發明的第三方面，所述導電性橡膠和所述絕緣橡膠為氯醚橡膠、丁苯橡膠和三元乙丙橡膠，或者為氯丁橡膠、氯醚橡膠、丁苯橡膠和三元乙丙橡膠。燒結法：ITO靶材燒結制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧錫混合粉末為原料，加入粘結劑和分散劑混合后，壓力成型，脫脂，然后于1400℃---1600℃燒結。根據本發明的第四方面，所述絕緣橡膠的含量為橡膠成分總量的約30質量％至約40質量％。

鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。9995%，并可除去有不利分配系數的雜質，然后進行區熔提純數次，就能達到接近于7的純度，雜質總含量<。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。

各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。

任何金屬都不能達到純。“超純”具有相對的含義，是指技術上達到的標準。

由于技術的發展，也常使 “超純”的標準升級。“超純”的相對名詞是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”（晶體缺陷），后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。

但只當金屬純度達到很高的標準時（如純度9以上的金屬），物理雜質的概念才是有意義的，因此目前工業生產的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。