PECVD

等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽光在硅表面的反射損失率高達35%左右。減反射膜可以提高電池片對太陽光的吸收，有助于提高光生電流，進而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進行反應(yīng)，從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價帶或者導(dǎo)帶。

在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過對石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。

1、根據(jù)合同要求，驗收單晶硅電池片的功率及等級，例如125，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時得問清楚電池片的功率是正公差還是負公差，選用正公差的。

2、單晶硅電池片的顏色：單晶為天藍或藍，與表面成35°角日常光照情況下觀察表面顏色，目視顏色均勻，無明顯色差、水痕、手印。

3、柵線圖形清晰、完整、無斷線。(B片可有1~2處斷線，但不可在同一條柵線上)

4、正面柵格線整潔、無漏漿;

焰熔法晶塊料。

晶塊料普遍使用維爾納葉爐焰熔法Verneuil進行生產(chǎn)，經(jīng)過振動篩將高純氧化體慢慢從爐頂篩下，當氧化末在通過高溫的氫氧火焰后熔化，熔滴在下落過程中冷卻并在種晶上固結(jié)逐漸生長形成晶體。

晶塊料是白色半透明狀的，國內(nèi)現(xiàn)在很多人士尤其是迷戀它，看上去透明無色以為純度很高，其實純度也就3個9. 但它的純度也值得我們?nèi)タ季俊?

生產(chǎn)過程中氫氣需要通過不銹鋼管道進入到爐體，不銹鋼管道的鐵、鎳、鉻、鈦等金屬離子和其他的金屬雜質(zhì)會隨著氫氣吹到氧化鋁熔融的晶體內(nèi)。氧化鋁的熔化溫度是2050度，F(xiàn)e,Ti,Cr，Mg等元素的熔化溫度已經(jīng)在2200度左右，這些技術(shù)雜質(zhì)氣化溫度要到達4000度以上，這些金屬雜質(zhì)或者金屬氧化物2050度根本不會氣化，他們?nèi)慷剂粼诰w內(nèi)部。氫氧焰只能吹走表面少量較輕的雜質(zhì)，如鎂，鈣等，但對里層的雜質(zhì)毫無作用。