PECVD

等離子體化學氣相沉積。太陽光在硅表面的反射損失率高達35%左右。減反射膜可以提高電池片對太陽光的吸收，有助于提高光生電流，進而提高轉換效率：另一方面，薄膜中的氫對電池表面的鈍化降低了發射結的表面復合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉換效率。H能與硅中的缺陷或雜質進行反應，從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。

在真空環境下及480攝氏度的溫度下，通過對石墨舟的導電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。

1、根據合同要求，驗收單晶硅電池片的功率及等級，例如125，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時得問清楚電池片的功率是正公差還是負公差，選用正公差的。

2、單晶硅電池片的顏色：單晶為天藍或藍，與表面成35°角日常光照情況下觀察表面顏色，目視顏色均勻，無明顯色差、水痕、手印。

3、柵線圖形清晰、完整、無斷線。(B片可有1~2處斷線，但不可在同一條柵線上)

4、正面柵格線整潔、無漏漿;

焰熔法晶塊料。

晶塊料普遍使用維爾納葉爐焰熔法Verneuil進行生產，經過振動篩將高純氧化體慢慢從爐頂篩下，當氧化末在通過高溫的氫氧火焰后熔化，熔滴在下落過程中冷卻并在種晶上固結逐漸生長形成晶體。

晶塊料是白色半透明狀的，國內現在很多人士尤其是迷戀它，看上去透明無色以為純度很高，其實純度也就3個9. 但它的純度也值得我們去考究。

生產過程中氫氣需要通過不銹鋼管道進入到爐體，不銹鋼管道的鐵、鎳、鉻、鈦等金屬離子和其他的金屬雜質會隨著氫氣吹到氧化鋁熔融的晶體內。氧化鋁的熔化溫度是2050度，Fe,Ti,Cr，Mg等元素的熔化溫度已經在2200度左右，這些技術雜質氣化溫度要到達4000度以上，這些金屬雜質或者金屬氧化物2050度根本不會氣化，他們全部都留在晶體內部。氫氧焰只能吹走表面少量較輕的雜質，如鎂，鈣等，但對里層的雜質毫無作用。