LC壓控型壓控振蕩器

在任何一種LC振蕩器中，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，后來大都使用變容二極管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中，T為晶體管，L為回路電感，C1、C2、Cv為回路電容,Cv為變容二極管反向偏置時呈現出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當輸入控制電壓uc改變時，Cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關系為VCO輸出頻率與控制電壓關系式中C0是零反向偏壓時變容二極管的電容量；φ 是變容二極管的結電壓；γ 是結電容變化指數。為了得到線性控制特性，可以采取各種補償措施。

壓控振蕩器在射頻通信電路中的應用

隨著現代通信系統和現代雷達系統的出現,射頻電路需要在特定的載波頻率點上建立穩定的諧波振蕩,以便為調制和混頻創造必要的條件.設計了一個振蕩頻率在1.14～1.18 GHz的負阻LC壓控振蕩器,實現了壓控振蕩器的寬調頻,使頻率范圍達到40 MHz.并且為避免在外部電路對壓控振蕩器(VCO)的影響,在電路中加入射極跟隨器作為buffer,起到阻抗變換和級間隔離的作用.為負阻LC壓控振蕩器的設計提供了一種參考電路.

發射壓控振蕩器原理

眾所周知，只能接收890M-915M(GSM)的頻率信號，而中頻調制器調制的中頻信號(如三星發射中頻信號135M)不能接收的，因此，要用TX-VCO把發射中頻信號頻率上變為890M-915M(GSM)的頻率信號。當發射時，電源部分送出3VTX電壓使TX-VCO工作，產生890M-915M(GSM)的頻率信號分兩路走：a)、取樣送回中頻內部，與本振信號混頻產生一個與發射中頻相等的發射鑒頻信號，送入鑒相器中與發射中頻進行較;若TX-VCO振蕩出頻率不符合手機的工作信道，則鑒相器會產生1-4V跳變電壓(帶有交流發射信息的直流電壓)去控制TX-VCO內部變容二極管的電容量，達到調整頻率準確性目的。b)、送入功放經放大后由天線轉為電磁波輻射出去。

壓控振蕩器優點

低相位噪聲：高頻低抖動的LVDS輸出壓控晶振，抖動小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz, HCSL高可到700MHz。經常會結合PLL鎖相電路實現超高頻，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm, CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。