壓控振蕩器在射頻通信電路中的應用

隨著現(xiàn)代通信系統(tǒng)和現(xiàn)代雷達系統(tǒng)的出現(xiàn),射頻電路需要在特定的載波頻率點上建立穩(wěn)定的諧波振蕩,以便為調(diào)制和混頻創(chuàng)造必要的條件.設計了一個振蕩頻率在1.14～1.18 GHz的負阻LC壓控振蕩器,實現(xiàn)了壓控振蕩器的寬調(diào)頻,使頻率范圍達到40 MHz.并且為避免在外部電路對壓控振蕩器(VCO)的影響,在電路中加入射極跟隨器作為buffer,起到阻抗變換和級間隔離的作用.為負阻LC壓控振蕩器的設計提供了一種參考電路.

晶體諧振器的主要技術(shù)指標介紹

標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。

負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

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壓控振蕩器優(yōu)點

低相位噪聲：高頻低抖動的LVDS輸出壓控晶振，抖動小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz, HCSL高可到700MHz。經(jīng)常會結(jié)合PLL鎖相電路實現(xiàn)超高頻，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm, CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。