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WP2090mos信賴推薦「炫吉電子」激昂的音樂

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5分鐘前 WP2090mos信賴推薦「炫吉電子」[炫吉電子68cce23]內(nèi)容:

公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管即可用于放大電流,又可以作為可變電阻,還能用作電子開關(guān),現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。而在使用過程中,MOS管是通過加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。

MOS管是電壓控制器件,也就是需要使用電壓控制G腳來實(shí)現(xiàn)對管子電流的控制。市面上常見的是增強(qiáng)型N溝通MOS管,廠家可以用一個(gè)電壓來控制G的電壓。

基本方法:用一個(gè)控制電壓(比較器同相輸入端)和一個(gè)參考電壓(比較器反相輸入端),同時(shí)進(jìn)入電壓比較器,比較器的輸出經(jīng)過電阻上拉后接G腳,如果控制電壓比參考電壓高,則控制MOS管導(dǎo)通輸出電流。

公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

功率MOSFET場效應(yīng)管是較為常用的一類功率器件,中文全名是——金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它屬于一種功率輸出的器件,主要由金屬、氧化物還有半導(dǎo)體三種材料構(gòu)成。那么什么是功率MOSFET場效應(yīng)管呢?

其實(shí)就是從名字來看,功率MOSFET場效應(yīng)管就是它再工作時(shí)能輸出較大的電流。場效應(yīng)管的分類又分為很多種,其中圍繞功耗的特性我們可以分成增強(qiáng)型和耗盡型,如果按照溝道來選的話又可以分成N溝道型和P溝道型。

場效應(yīng)管在輸出功率的系統(tǒng)中,主要被當(dāng)做系統(tǒng)的開關(guān)。如果我們在N溝道場效應(yīng)管的柵極和源極之間再加上一個(gè)電壓,就會讓其電源開關(guān)導(dǎo)通。電源開關(guān)導(dǎo)通之后,電流即可經(jīng)過電源開關(guān)從漏極流入源極。其中在漏極和源極之間會存在一個(gè)內(nèi)電阻,我們一般叫做導(dǎo)通電阻器RDS(ON)。我們一定要清楚場效應(yīng)管的柵極實(shí)際上是一個(gè)高特性的阻抗端,所以我們需要在柵極上再添加一個(gè)電壓。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí),電源開關(guān)關(guān)掉,而電流量終止根據(jù)器件。盡管這時(shí)候器件早已關(guān)掉,但依然有細(xì)微電流量存有,這稱作泄露電流IDSS。

因?yàn)閳鲂?yīng)管是電氣控制系統(tǒng)中基本上的構(gòu)件之一,挑選恰當(dāng)?shù)膱鲂?yīng)管對全部設(shè)計(jì)方案是不是取得成功起著重要的功效。僅有掌握場效應(yīng)管的種類及掌握決策他們的關(guān)鍵特性特性,設(shè)計(jì)方案工作人員才可以對于特殊設(shè)計(jì)方案挑選恰當(dāng)?shù)膱鲂?yīng)管。

電子元器件都有電氣參數(shù),在選型時(shí)要給電子元器件留出足夠的余量,才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長期運(yùn)行。接下來簡要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是一種流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者之間有相似之處,在選擇時(shí)需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。

1、根據(jù)耐壓選型

三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO,工作時(shí)CE之間的電壓不得超過規(guī)定值,否則三極管將永i久損壞。

在使用過程中,MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓,工作時(shí)DS兩端的電壓不能超過規(guī)定值。一般來說,MOS管的耐壓值遠(yuǎn)高于三極管。

2、過電流能力

三極管有ICM參數(shù),即集電極的過電流能力,MOS管的過電流能力以ID來表示。當(dāng)電流工作時(shí),流過三極管/MOS管的電流不能超過規(guī)定值,否則器件將會被燒壞。

考慮到工作穩(wěn)定性,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。

3、工作溫度

商業(yè)級芯片:一般范圍在0到+70℃;

工業(yè)級芯片:一般范圍在-40到+85℃;

軍i工級芯片:一般范圍在-55℃到+150℃;

在進(jìn)行MOS管選型時(shí),要根據(jù)產(chǎn)品的使用場合選擇合適的芯片。

4、根據(jù)開關(guān)頻率選擇

三極管和MOS管都有開關(guān)頻率/響應(yīng)時(shí)間的參數(shù)。如果用于高頻電路中,必須考慮開關(guān)管的響應(yīng)時(shí)間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如,MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開啟電壓等。

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