(1)取下陽極氧化，加去雜水5ml/l，加溫60—70度C，氣體拌和2鐘頭。(手頭上無牢固去雜劑時不需加)。

(2)有機化學雜質多時，先報名參加3—5ml/lr的30%解決，氣拌和3鐘頭。

(3)將3—5g/l粉狀特異性在持續拌和下報名參加，再次氣拌和2鐘頭，關拌和靜放4鐘頭，過慮，一起清缸。

(4)清理維護保養陽極氧化掛回。

(5)用鍍了鎳的瓦楞紙形不銹鋼板作負極，在0.5—0.1安/平方分米的電流強度下開展電解法，直到壓型板表面變化為灰白色(類似暗鎳顏色)才行，此系統進程約4—12鐘頭，雜質太多需時更長。電解法時會必需打開氣體拌和或負極挪動，以發展解決實際效果。

(6)解析調節各主要參數、報名參加解決理中遺失的一部分防腐劑、濕冷劑，必需時開展霍耳槽試驗，及格后就可以試鍍。

真空鍍膜技術之物理氣相沉積技術，它利用某種物理過程，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。

真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學特性來說，真空鍍膜沒有障礙。鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。

真空鍍膜加工是利用化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。

真空鍍膜技術的應用時較早的。真空鍍膜技術在電子方面開始是用來制造電阻和電容元件，之后隨著半導體技術在電機學領域中的應用，又使這一技術成為晶體管制造和集成電路生產的必要工藝手段。

真空鍍膜加工原理有不同可分很多種類，因為真空鍍膜加工工作環境要要求高真空度而擁有統一名稱。所以對于不同原理的真空鍍膜加工，影響均勻性的因素也不盡相同。