泛半導(dǎo)體工藝伴隨許多種特殊制程，會使用到大量超高純（ppt 級別）的干濕化學(xué)品，這是完成工藝成果的重要介質(zhì)，其特點是昂貴并伴隨排放。在集成電路領(lǐng)域，高純工藝系統(tǒng)主要包括高純特氣系統(tǒng)、大宗氣體系統(tǒng)、高純化學(xué)品系統(tǒng)、研磨液供應(yīng)及回收系統(tǒng)、前驅(qū)體工藝介質(zhì)系統(tǒng)等。其中，各類高純氣體系統(tǒng)主要服務(wù)于幾大干法工藝設(shè)備，各類高純化學(xué)品主要服務(wù)于濕法工藝設(shè)備。

半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機設(shè)備的，普遍應(yīng)用于計算機、消費類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等領(lǐng)域，半導(dǎo)體主要由四個部分組成：集成電路、光電器件、分立器件和傳感器，其中集成電路在總銷售額占比高達80%以上，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)域。半導(dǎo)體清洗用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能目前，隨著芯片制造程度的持續(xù)提升，對晶圓表面污染物的控制要求不斷提高，每一步光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序后，都需要一步清洗工序。

干法清洗主要是采用氣態(tài)的刻蝕不規(guī)則分布的有結(jié)構(gòu)的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優(yōu)點，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯產(chǎn)品和存儲產(chǎn)品有應(yīng)用。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補所短，在短期內(nèi)濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢，目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占比達芯片制造清洗步驟數(shù)量的 90%。