3分鐘前 亮面標牌曝光顯影加工廠承諾守信「利成感光」[利成感光38dbdb8]內容：曝光不足，導致單體聚合不，那么在顯影過程中，會使的膠膜變軟，線條不清晰，色澤暗淡，脫膠。曝光過度，會造成難顯影，留有殘膠。同時曝光影響圖案的線寬，過量曝光會使圖形線條變細，蝕刻產品線條變粗。所以好的辦法是依據顯影的干膜光亮程度，圖像清晰度，圖案線條與底片相符，曝光設備參數和感光性能，確定適合的曝光時間。

曝光顯影是一種攝影技術中常用的過程，通常用于將攝影底片或者電子傳感器中記錄的光影信息轉化為可見影像的過程。曝光是將光照射在底片或傳感器上的過程，而顯影則是將暴露的底片或傳感器做出可見影像的過程。這個過程在攝影，印刷和微電子制造等很多領域中都有應用。曝光顯影是一種用于光刻制程的技術，主要用于制造半導體芯片、液晶顯示器等微電子器件。它包含兩個階段：曝光：在將光線通過掩膜中的芯片圖案照射到光刻膠表面的過程中，使得光刻膠在芯片表面保留下芯片圖案的影像。顯影：通過將芯片表面的光刻膠所形成的圖案暴露在顯影液中進行刻蝕，去除光刻膠的非芯片圖案區域，使得芯片上僅保留出所需要的器件結構。

當照相底片上的光密度小于2.8時，紫外光可透過底片上的不透明區，使不透明區下面的干膜局部發生聚合；當底片上的光密底大于o.2時，紫外光難于穿過底片透明區，延長了曝光時間。為此建議底片上光密度大于4，光密度小于o.2。當照相底片上的光密度小于2.8時，紫外光可透過底片上的不透明區，使不透明區下面的干膜局部發生聚合；當底片上的光密底大于o.2時，紫外光難于穿過底片透明區，延長了曝光時間。為此建議底片上光密度大于4，光密度小于o.2。

曝光顯影工藝主要應用于微電子加工中，是一種將芯片圖案傳遞到硅片上的技術。

曝光顯影工藝可以分為以下步驟：

顯影：將曝光后的硅片浸泡在顯影液中，在此過程中，光刻膠會在掩膜中沒有被曝光的部分（即需要去除的圖案區域）中被消蝕，并暴露出硅片表面。刻蝕：在暴露出的芯片表面上利用化學或物理方法以去除未被的光刻膠保護的硅表面材料，制造出所需的芯片圖案。這些步驟相互整合，完成硅片的制造。在不同的制造要求下，整個曝光顯影工藝過程的條件和具體流程可能會有所不同。